Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

Рентгеновские эффекты[править]
Большинство микросхем flash поставляются в пакетах ball grid array (BGA), и даже те, которые этого не делают, часто монтируются на печатной плате рядом с другими пакетами BGA. После сборки печатных плат платы с пакетами BGA часто просвечивают рентгеновским лучом, чтобы увидеть, правильно ли шарики соединяются с нужной прокладкой или BGA нуждается в доработке. Эти рентгеновские лучи могут стирать запрограммированные биты во флэш-чипе (преобразовывать запрограммированные биты "0" в стертые биты "1"). Стертые биты ^{(биты"1") не подвержены воздействию рентгеновских лучей.}
Некоторые производители в настоящее время выпускают рентгенозащитные устройства памяти SD^[90] и USB^[91].
Низкоуровневый доступ[править]
Низкоуровневый интерфейс для микросхем флэш-памяти отличается от интерфейса других типов памяти, таких как DRAM, ROM и EEPROM, которые поддерживают возможность изменения битов (как ноль к единице, так и один к нулю) и произвольный доступ через внешние адресные шины.
НИ одна память не имеет внешней адресной шины для чтения и программирования. Для памяти NOR чтение и программирование являются произвольным доступом, а разблокировка и стирание-блочными. Для памяти NAND чтение и программирование выполняются постранично, а разблокировка и стирание-поблочно.
НИ воспоминаний[править]

НИ flash от Intel
Чтение из NOR flash аналогично чтению из оперативной памяти при условии правильного сопоставления адреса и шины данных. Из-за этого большинство микропроцессоров могут использовать NOR flash memory в качестве памяти execute in place (XIP), что означает, что программы, хранящиеся в NOR flash, могут быть выполнены непосредственно из NOR flash без необходимости предварительного копирования в оперативную память. NOR flash может быть запрограммирован в режиме произвольного доступа, аналогичном чтению. Программирование изменяет биты с логической единицы на ноль. Биты, которые уже равны нулю, остаются неизменными. Стирание должно происходить блоком за раз и сбрасывать все биты в стертом блоке обратно на один. Типичные размеры блоков-64, 128 или 256 Кб.
Управление плохими блоками-относительно новая функция в чипах NOR. В старых устройствах NOR, не поддерживающих плохое управление блоками, программное обеспечение или драйвер устройства, управляющие чипом памяти, должны корректировать износ блоков, иначе устройство перестанет надежно работать.
Конкретные команды, используемые для блокировки, разблокировки, программирования или стирания памяти NOR, различаются для каждого производителя. Чтобы избежать необходимости в уникальном программном обеспечении драйвера для каждого изготовленного устройства, специальные команды Common Flash Memory Interface (CFI) позволяют устройству идентифицировать себя и свои критические рабочие параметры.
Помимо использования в качестве ПЗУ с произвольным доступом, NOR flash также можно использовать в качестве запоминающего устройства, используя преимущества программирования с произвольным доступом. Некоторые устройства предлагают функцию чтения во время записи, так что код продолжает выполняться даже во время выполнения программы или операции стирания в фоновом режиме. Для последовательной записи данных чипы NOR flash обычно имеют более низкую скорость записи по сравнению с NAND flash.
Типичная NOR flash не нуждается в коде исправления ошибок^[92].