Radioelektronika asoslari

Umumiy emitter sxema. Umumiy emitter ulangan sxemada kirish toki bo’lib baza toki I_B, chiqish kuchlanishi bo’lib kollektor-emitter kuchlanishi U_KE xizmat qiladi. Shuning uchun kirish xarakteristikalar oilasi bo’lib, kollektor-emitter kuchlanishi U_KE ning belgilangan qiymatlarida I_B=f(U_BE) bog’lanish xizmat qiladi. U_KE=U_KB+U_BE bo’lgani uchun U_KE ning o’zgarmas qiymatlarida kirish kuchlanishi U_BE ning o’zgarishlari kollektor o’tishdagi U_KB kuchlanishning o’zgarishlariga olib keladi. Bu esa, o’z navbatda, I_E toki qiymatlariga va kollektor o’tishning xususiy toki I_KO qiymatlariga ta’sir ko’rsatadi.

Aktiv rejimda, U_KE>U_BE bo’lganda, transistor kirish xarakteristikalarini ko’rib chiqamiz. Bu holda emitter toki ifoda bilan aniqlanadi, kirish xarakteristikasiga muvofiq

Umumiy baza va umumiy emitter ulangan sxemalarda kirish xarakteristikalar ko’rinishi eksponensial ekanini va tikligi bo’yicha bir-biridan farq qilinishini ko’ramiz. Umumiy emitter ulangan sxemada kirish xarakteristikasi tikligi umumiy baza sxemada ulangan kirish xarakteristikasi tikligidan marta kichik. bo’lganda va baza toki amalda ga teng bo’lib qoladi, ya’ni o’z yo’nalishini o’zgartiradi. Teskari kuchlanish qiymati ortishi tok ham ortishi ma’lum. Shuning uchun kuchlanish ortishi bilan kirish xarakteristikalari pastga va o’ngga siljiydi.
Agar U_BE >0 va bunda U_KE=O bo’lsa (kollektor va emitter potensiallari bir xil), ikkala p-o’tish to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’ladi. Kirish xarakteristikasi to’yinish rejimiga mos keladi, baza toki esa emitterdan va kollektordan bir vaqtning o’zida elektronlar injeksiyalangani uchun baza toklari yig’indisiga teng bo’ladi. U_BE kuchlanishi ortishi bilan ikkala p-n o’tishdagi injeksiya ortadi, bazada noasosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi ortadi, bu esa o’z navbatida bazada rekombinasiyaning ortishiga, baza tokining keskin ortishiga olib keladi.

Umumiy kollektor sxema. Umumiy kollektor ulangan sxemada kirish toki - baza toki I_B, chiqish kuchlanishi esa U_EK kuchlanishdir. Demak, kirish xarakteristikalar oilasi U_BK kuchlanishning belgilangan qiymatlarida I_K=f(U_EK) bog’liqlik orqali ifodalanadi. U_BK =U_EK-U_EB bo’lgani uchun U_EK ning o’zgarmas qiymatlarida U_BK o’zgarishlari baza toki I_B ni eksponensial kamaytiradi. Tranzistorning dinamik kirish qarshiligi U_E ulangan sxemadagidek bo’ladi [12].
Bipolyar tranzistorning umumiy kollektor ulanishdagi kirish xarakteristikalari. Bipolar tranzistorning statik chiqish xarakteristikalari. Chiqish xarakteristikasi deb kirish tokining berilgan, o’zgarmas qiymatlarida chiqish toki bilan chiqish kuchlanishi orasidagi bog’liqlikka aytiladi.