Quyosh elementlari

Elementning orqa sirtining yuzasi esa butunlay qoplama yoki to„rsimon qoplama bilan qoplanadi. Ρ – n o„tishdan elektr maydoni vositasida ajratilayotgan asosiy bo„lmagan zaryad tashuvchilar tashqi zanjirga o„tishi kerak. Yarimo„tkazgich material frontal sirtida (“n” tur qoplamada) zaryadlar qoplama bo„ylab harakatlansa, quyosh elementi bazasida (“p” tipdagi materialda) ularning harakati perpendikulyar yo„nalishda bo„ladi. Tayyorlanadigan omik kontaktning birinchi qatlami alyuminiydan qilinadi. Alyuminiy “p” materialda kirishma bo„lgani uchun, u kremniyga yaxshi omik kontakt beradi va keyin uning ustiga Ti, Pd, Ag yoki Ni va kerakli pripoy qotishmasi qoplanadi. [1] Ilmiy tadqiqotlar shuni ko„rsatadiki, agar frontal yupqa qatlamga kontakt materiali dastlab butun sirtga qoplama sifatida olinib, keyin ma‟lum shaklli rasmni fotolitografik jarayon vositasi bilan ximik yemirish orqali bajarilsa, frontal yuzada ko„plab mikro teshilgan hududlar paydo bo„lar ekan. Bu esa o„z navbatida, shunt qarshiligini kamaytirib teskari to„yinish toki I0 ni oshirib yuborar ekan. Shuning uchun frontal kontaktlar topologiyasini niqob orqali yoki fotolitografik jarayonni kontakt olinishidan oldin o„tkazilishi talab qilinadi. Agar hisob – kitob aniq bo„lib, texnologik jarayonlar mukammal bajarilsa, Quyosh elementining volt – amper xarakteristikasi (VAX) keskin yaxshilanadi. Quyosh elementi ishiga yorug„likning qaytish va yutilish koeffitsientlari ta‟sir ko„rsatadi. Quyosh elementi sirtiga har xil qoplamalar qoplash bilan uning optik xarakteristikalarini, buning oqibatida foydali ish koeffitsiyenti (FIK) ni oshirish mumkin. Tabiiyki spektrning ishchi zonasida yorug„lik qaytishini kamaytirish muhim hisoblanadi. Quyosh elementlarning sovitilishini ta‟minlash uchun maxsus qoplamalar yaratish kerak. Kosmosda ishlaydigan Quyosh batareyalari uchun bu dolzarb masala hisoblanadi, Quyosh elementlarning sovushi faqat atrof muhitga nurlanish hisobiga bo„ladi. [13]

• Elementning orqa sirtining yuzasi esa butunlay qoplama yoki to„rsimon qoplama bilan qoplanadi. Ρ – n o„tishdan elektr maydoni vositasida ajratilayotgan asosiy bo„lmagan zaryad tashuvchilar tashqi zanjirga o„tishi kerak. Yarimo„tkazgich material frontal sirtida (“n” tur qoplamada) zaryadlar qoplama bo„ylab harakatlansa, quyosh elementi bazasida (“p” tipdagi materialda) ularning harakati perpendikulyar yo„nalishda bo„ladi. Tayyorlanadigan omik kontaktning birinchi qatlami alyuminiydan qilinadi. Alyuminiy “p” materialda kirishma bo„lgani uchun, u kremniyga yaxshi omik kontakt beradi va keyin uning ustiga Ti, Pd, Ag yoki Ni va kerakli pripoy qotishmasi qoplanadi. [1] Ilmiy tadqiqotlar shuni ko„rsatadiki, agar frontal yupqa qatlamga kontakt materiali dastlab butun sirtga qoplama sifatida olinib, keyin ma‟lum shaklli rasmni fotolitografik jarayon vositasi bilan ximik yemirish orqali bajarilsa, frontal yuzada ko„plab mikro teshilgan hududlar paydo bo„lar ekan. Bu esa o„z navbatida, shunt qarshiligini kamaytirib teskari to„yinish toki I0 ni oshirib yuborar ekan. Shuning uchun frontal kontaktlar topologiyasini niqob orqali yoki fotolitografik jarayonni kontakt olinishidan oldin o„tkazilishi talab qilinadi. Agar hisob – kitob aniq bo„lib, texnologik jarayonlar mukammal bajarilsa, Quyosh elementining volt – amper xarakteristikasi (VAX) keskin yaxshilanadi. Quyosh elementi ishiga yorug„likning qaytish va yutilish koeffitsientlari ta‟sir ko„rsatadi. Quyosh elementi sirtiga har xil qoplamalar qoplash bilan uning optik xarakteristikalarini, buning oqibatida foydali ish koeffitsiyenti (FIK) ni oshirish mumkin. Tabiiyki spektrning ishchi zonasida yorug„lik qaytishini kamaytirish muhim hisoblanadi. Quyosh elementlarning sovitilishini ta‟minlash uchun maxsus qoplamalar yaratish kerak. Kosmosda ishlaydigan Quyosh batareyalari uchun bu dolzarb masala hisoblanadi, Quyosh elementlarning sovushi faqat atrof muhitga nurlanish hisobiga bo„ladi. [13]