Практикум с использованием миниатюрной электротехнической лаборатории мэл, компьютерного моделирования

Лабораторная работа №16 Исследование характеристик биполярного транзистора и

усилителя на биполярном транзисторе
Цель работы. Исследование вольтамперных характеристик биполярного тран- зистора и усилителя на его основе.
Лабораторное задание
А. Исследование входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение статического коэффициента
передачи тока

1. 
   Собрать на стенде МЭЛ схему, показанную на рис. 13.2. В этой схеме исполь- зован транзистор КТ603. При компьютерном моделировании собрать схема рис.13.8. В компьютерной модели использован транзистор BC140 (аналог отечественного тран- зистора КТ630). Модель транзистора BC140 находится в каталоге «philips1».
   

Рис. 13.8. Схема компьютерного моделирования биполярного транзистора

2. 
   В схеме рис.13.2 установить Е₁= 2В, R_Н2 в крайнее левое положение,
   

Е₂=10В.
В схеме компьютерного моделирования разомкнуть ключи B и N, замкнуть ключи K и E. Ток базы транзистора измеряется амперметром А1 в режиме DC и регулируется переменным резистором [R]/20 kOhm, в свойствах которого уста- новлен Increment=1%. Амперметр А2 измеряет коллекторный ток. Вольтметр V1 измеряет постоянное напряжение база-эмиттер. Вольтметр V2 измеряет по- стоянное напряжение коллектор-эмиттер. Первый вход осциллографа измеряет переменную составляющую напряжения на коллекторе через разделительный кон- денсатор С_с. Второй вход осциллографа измеряет переменную составляющую напряжения на базе. Источником входного гармонического сигнала является ис- точник напряжения e(t).

3. 
   Увеличивая в схеме рис.13.2 значение R_Н2 (или в схеме рис.13.8 сопротив- ление [R]) и при необходимости Е₁, измерять и устанавливать заданные в таблице
   

13.1 значения напряжения U₁ и соответствующие им напряжения U_БПЭ и U₂.
В схеме компьютерного моделирования изменять значение переменного ре- зистора [R], начиная от нуля. Ток базы I_Б и ток коллектора I_К измерять соответ- ственно амперметрами А1 и А2. Напряжение U_БЭ измерять вольтметром V1.
Результаты измерений записать в таблицу 13.1.

4. 
   По данным измерений рассчитать в внести в таблицу значения
   

I  ^U1 ,
Б _R9

U  U  I  R , I  ^U2 , β  ^IК .
БЭ БПЭ Б Д К _RИ _IБ

5. 
   Построить график входной характеристики биполярного транзистора и
   

зависимость
β(I_Б ) .

Таблица 13.1