Практикум с использованием миниатюрной электротехнической лаборатории мэл, компьютерного моделирования

K^  ^UВЫХ   ^RK


, (13.4)

25 мВ

Ux _UВХ



R_Э  r_Э

где
r_Э 

I
Э
- дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер,

I_Э - постоянный ток эмиттера.
Отрицательное значение комплексного коэффициента усиления напряжения от- ражает изменение фаз выходного напряжения на 180^о относительно входного напряже- ния.
Если в схеме учесть емкость C_Э, то коэффициент усиления в режиме холостого хода станет равным:

K_Ux  
(13.5)

Входное сопротивление по переменному току определяется как параллельное соединение входного сопротивления транзистора r_БЭ=h₁₁= βr_Э и сопротивления R_Б, ко- торое служит для установки рабочей точки каскада.

В схеме (рис.13.5):

R_Б 
R₁₄ (R_A  R₁₁) _,
R₁₄  R_A  R₁₁
^RВХ
_ (r_БЭ  R_Д )R_Б
r_БЭ  R_Д  R_Б


(13.6)

Входная разделительная емкость C_А образует с входным сопротивлением делитель напряжения и коэффициент передачи входной цепи составит:
^RВХ

K_ВЦ 
R_ВХ  ωС_А


(13.7)

С учетом (13.5), (13.7) коэффициент усиления транзисторного каскада с общим эмиттером на низких частотах можно рассчитать по формуле:

^KUxНЧ
 K_Ux  K_ВЦ
(13.8)

С учетом сопротивления нагрузки
R_Н  R_D для малого переменного сигнала на

высокой частоте соответствует нагрузочная прямая 2, показанная на рис.13.3 пунктир- ной линией и определяемая уравнением:

Ток в цепи нагрузки равен:
^uКЭ
 ^{RK RН} i R_Н  R_К ^K


(13.9)

i_Н 
R_{K i}
R_Н  R_К ^K


(13.10)

На высоких частотах применяют более точные модели транзисторов. Наиболее
распростаненными являются модели, основанные на схеме замещения Джиаколетто

(рис.13.7), в которой сопротивление r_б

• 
  распределенное сопротивление базы,
  

g_э и C_э

- отражают полную проводимость эмиттерного перехода, g_к
и C_к

• 
  учитывают влия-
  

ние коллекторного перехода, проводимость
^gкэ
учитывает связь между эмиттером и

коллектором. Усилительные свойства транзистора учтены крутизной S.

ров.
Рис. 13.7. Схема замещения транзистора на высокой частоте

2. 
   Вопросы для самопроверки и подготовки к лабораторной работе
   

1. 
   Устройство и принцип работы биполярных транзисторов.
   
2. 
   В чем отличие p-n-p и n-p-n транзистора?
   
3. 
   Схемы включения биполярных транзисторов.
   
4. 
   Входные характеристики биполярного транзистора и методы их измерения.
   
5. 
   Выходные характеристики биполярного транзистора и методы их измерения.
   
6. 
   Уравнения биполярного транзистора в системе H-параметров.
   
7. 
   Физический смысл и методы измерения H-параметров биполярных транзисто-
   

8. 
   Схема замещения биполярного транзистора на постоянном токе и низких ча-
   

стотах.

9. 
   Схема усилительного транзисторного каскада с общим эмиттером.
   
10. 
    Выбор рабочей точки транзисторного усилителя для малых сигналов.
    
11. 
    Чем обеспечивается режим транзисторного усилителя по постоянному току и стабилизация рабочей точки?
    
12. 
    Расчет коэффициента усиления транзисторного усилителя в режиме холосто- го хода.
    
13. 
    Расчет коэффициента передачи входной цепи транзисторного усилителя.
    
14. 
    Расчет коэффициента усиления транзисторного усилителя на низких часто- тах с учетом входной цепи.
    

3.