Politechnika łÓdzka

Tranzystor Bipolarny – element półprzewodnikowy (posiadający tzw. złącze n-p-n lub p-n-p), przeznaczony do przełączania lub wzmacniania sygnałów; tranzystory bipolarne są elementami złączowymi – to znaczy wszystkie jego wyprowadzenia są dołączone bezpośrednio do złącza struktury tego samego półprzewodnika, co umożliwia przepływ prądu między wszystkimi jego wyprowadzeniami; wyprowadzenie tranzystora oznaczone strzałką oznaczone literą E – nazywane jest Emiterem, wyprowadzenie nieoznaczone strzałką (po tej samej stronie co Emiter) oznaczone literą C – nazywane jest Kolektorem, a wyprowadzenie znajdujące się po przeciwnej stronie złącza C-E tranzystora oznaczone literą B – nazywane jest Bazą; strzałka przy emiterze wskazuje sposób włączenia tego tranzystora do układu czyli kierunek przepływającego prądu.


NFET lub PFET
Tranzystor Polowy Złączowy oznaczany FET (Field Effect Transistor) – element półprzewodnikowy posiadający zdolność przewodzenia zależną od potencjału polaryzującego występującego między elektrodą bramki G a potencjałem odniesienia; tranzystor polowy jest rysowany ze strzałką „połączoną” ze złączem D-S, przez co nazywany jest tranzystorem polowym złączowym; rozróżnia się dwa typy tranzystorów polowych złączowych – z kanałem N (symbol ze strzałką skierowaną do wewnątrz) i z kanałem typu P (symbol ze strzałką skierowaną na zewnątrz); wyprowadzenie tranzystora oznaczone strzałką oznaczone literą G – nazywane jest (ang. Gate) Bramką, wyprowadzenia nieoznaczone strzałkami (po przeciwnej stronie od Bramki) oznaczane literą D – (ang. Drain) nazywane jest Drenem, a wyprowadzenie znajdujące się po drugiej stronie złącza D-S tranzystora oznaczone literą S – (ang. Source) nazywane jest Źródłem.
Lub