3.3.6. Indiy arsenid (InAs)
InAs suvda erimaydi, tuz kislotada 75
0
C da edirilish tezligi 300
mg/(sm
2
soat). Nitrat kislota qo’shilsa, bu tezlik oshib ketadi. InAs kislotalarda
eriganda zaharli
3
AsH
arsin ajraladi.
450
0
C dan yuqorida InAs havoda oksidlanadi. Vakuumda 700
0
C yaqinida
va undan yuqorida InAs parchalanib arseniyni ajratib chiqaradi. Zichligi 5.67
3
/ sm
g
, suyulish temperaturasi 942
0
C.
Legirlanmagan indiy arseniydi monokristallarda asosiy zaryad tashuvchilar
zichligi (
5
3
)
3
16
10
sm
, harakatchanligi (
4
3
)
.
/
2
Vs
sm
(77 K).
Te va Sn bilan legirlangan InAs monokristallari p-tur o’tkazuvchanlikka ega,
3
19
16
)
10
8
10
.
1
(
sm
n
(77 K). InAs kristallari [111] yo’nalishda o’stiriladi.
Do'stlaringiz bilan baham: |