С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

§. Яримутказгичларда заряд ташувчилар 
концентрацияси 
ва 
даракатчанлигшш намунанинг 
магнит каршилиги буйича аницлаш
а) Магнито каршилик (магниторезестив) эффекти.
Биз юкорида узун, энсиз намуналарда Х олл эффекта­
ми Х олл электр юритувчи кучи пайдо булиши билан на- 
Моён булишини курдик. Маълумки, л-тип утказувчанликка 
Зга булса, намунада эркин электронларнинг релаксация 
йактини уларнинг энергиясига богликдигини назарда тут- 
Сак, электр майдонида электронлар хар хил дрейф тезлик
билан харакатланади. Ш унинг учун улар га магнит май­
донида хар хил катталикда булган Лоренц кучи
Таъсир этади. Х олл электр майдони (Е н) мувозанатга (ста­
ционар \олатга) эришганда тезликлари уртача энергияга 
(<г) мос келган электронларда (Ён) нинг электронга таъ­
сир кучи Лоренц кучига тенглашади. Ш унинг учун дрейф 
Харакатига 
магнит майдон таъсир этмайди. Тезликлари 
Уртача тезликдан катта ва кичик булган электронлар эса 
Харакат 
йуналишларини электр майдонига нисбатан узгар- 
тиради, уларнинг харакат йули о гад и. Окибатда магнит 
майдонида намуна каршилигининг ортиши кузатилади. 
Бу ходиса физикавий магнит каршилик эффекти деб ата- 
лади. Мазкур эффектнинг батафсил назарияси Больцман- 
нинг кинетик тенгламаси ечими асосида каралади. М аг­
нит майдонида нисбий солиштирма каршиликнинг узга­
риши j = const ва j = О булганда
е
г (
е
)Е
КУрт 
т.
e . — T (е)Е х В
Ар _ Е х( В) - Е х( 0 ) _ Е{ В) _
j
(2.58)
Е х( 0 )
Е (О)
ифода билан аникланади.
109

---

Кучсиз магнит майдонида (р пВ <  1 ёкиц 2В2< \ ) кириш 
мавий {п ёки р-тип) утказувчанликли яримутказгичлар 
учун ниобий солиштирма каршиликнинг магнит майдо­
нида узгариши
ифода билан, физикавий магнито солиштирма утказув- 
чанлик
ифода билан аникданади. Бу ерда, /3 — физикавий
магнито каршилик коэффициенти.Релаксация вакгининг 
энергияга богланишини назарда тутмаслик, яъни элект- 
ронларнинг тезликлари энергияси кандай булишидан 
Катъи 
назар, бир хил булади деб олиш магнит каршилик 
коэффициентини тула йукотиш га олиб келади (fi=Q): 0 — 
заряд ташувчиларнинг сочилиш механизмига, ярим- 
утказгичларнинг зоналар тузилишига бо гли к Куп лол ­
ларда релаксация вакти (г) нинг энергияга богликлиги 
даражали функция r~e~s булади. Бунда электронларнинг 
изоэнергетик сатхдари шар сиртидан иборат булса, куч- 
сиз магнит майдонда ва айнимаган яримутказгичларда 
заряд ташувчиларда турли сочилиш механизмлари содир 
булгандаги S-нинг, Холл фактори гн, магнит каршилик 
коэффициенти /З-нинг кийматлари 2.2-жадвалда келти­
рилган.
Жадвал та\лилидан куринадики, магнито каршилик 
коэффициенти Х олл факторига нисбатан сочилиш меха­
низмига кучлирок боглик экан. Кристалл панжараси ку­
бик сингоний тузилишли яримутказгичлар Ge, Si, GaAs, 
InSb ва >;оказоларда Х олл эффектининг катталиги крис 
талл укларининг йуналишига боглик булмайди. Х олл 
улчовларини кристалл укдарининг исталган йуналишида 
бажариш мумкин. Магнит каршиликнинг катталиги эса
_ р (В ) - р ( р )  
р ( 0 ) ~
р ( 0 )