Электростатика

сверхрешетки
- 
синтезированные структуры, в которой на носители заряда, 
помимо кристаллической решетки, действует дополнительный 
потенциал с периодом, существенно превышающим постоян-
ную решетки. Параметры этого потенциала можно менять и 
тем самым управлять энергетическим спектром носителей. Тип 
сверхрешетки 
определяется 
технологией 
изготовле-
ния.
Композиционные
сверхрешетки формируются путем чере-

---

113 
дования тонких слоев различных материалов с близкими зна-
чениями постоянных решетки.
Легированные
сверхрешетки 
формируются из слоев с дырочной и электронной проводимо-
стями в объеме одной полупроводниковой среды.
Спиновые 
сверхрешетки создаются технологией селективного легирова-
ния полупроводника магнитными и немагнитными примесями. 
Наиболее совершенные сверхрешетки формируют при исполь-
зовании молекулярно-лучевой эпитаксии. 
Свойства полупроводниковых континуальных сред могут 
быть достаточно полно описаны с помощью квантовой теории 
энергетического спектра электронов, зонной теории. 
4.1.3. Генераторы динамических неоднородностей 
 
Процесс генерирования динамических неоднородностей в 
полупроводниковой континуальной среде определяется кон-
кретными физическими явлениями и эффектами, характерными 
для данного их типа, и данной среды. Рассмотрим некоторые 
генераторы динамических неоднородностей.
Генераторы зарядовых пакетов
в полупроводниковых 
структурах могут быть нескольких типов. В приборах и устрой-
ствах функциональной электроники используется нестационар-
ное состояние полупроводниковых структур. Например, в 
МДП-конденсаторе при подаче напряжения на металлическую 
обкладку возникает электрическое поле. Это электрическое по-
ле вытесняет основные носители вглубь полупроводника. 
В результате процесса термогенерации в полупроводнике 
образуются электронно-дырочные пары и под воздействием 
электрического поля генерируются те заряженные частицы, ко-
торые имеют знак противоположный напряжению на металли-
ческой обкладке. Они же заполняют обедненную область. За-
ряженные частицы одноименного знака с основными носите-
лями полупроводника оттесняются этим полем вглубь среды. 
Однако процессы термогенерации инерционны (0,1 - 0,5 с) и не 

---

114 
используются в качестве основного механизма создания дина-
мических неоднородностей, типа зарядовых пакетов. 
Генерацию зарядовых пакетов целесообразно осуществ-
лять