В современных системах автоматизированного проектирования ши

113
Рис. 4.7.
Устройство флэш-памяти 
Элементы логической памяти «1-0» 2, выполненные в виде кванто-
вых точек 5, с помощью воздействия на них тактового генератора 4 вво-
дятся в состояние насыщения которое соответствует 1 или 0, и фиксируют-
ся преобразователем электромагнитного сигнала 3. За счёт туннелирования 
электронов, пересылаемым на матрицу 1 диэлектриком выполняющим 
роль истока 7, полевые нанотранзисторы переходят в режим насыщения 
элетронами, в котором могут находится неограниченный период времени. 
Далее наличие или отсутсвие заряда на плавающем затворе 8 кодирует 
один бит информации.
При записи заряд помещается на плавающий затвор 5 одним из двух 
методов (зависит от типа ячейки): методом инжекции электронов или ме-
тодом туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие 
заряда с плавающего затвора) производится методом туннелирования. На-
личие заряда на транзисторе понимается как логический «ноль», а его от-
сутствие – как логическая «единица». Изменение порогового напряжения 

---

114
Δ
F
TH
, вызванное хранением заряда 
Q
FG
 
определяется
,
FG
TH
CG
Q
F
C

 
где 
C
CG
 
– ёмкость между контрольным и изолированным входом и задается 
формулой 
,
CG
A
C
t



где 
A 
– площадь конденсатора, а 
ε
и 
t 
– диэлектрическая константа и тол-
щина управляющего диэлектрика соответственно [93, 108]. 

---