Yarim o’tkazgichli diodning volьt-amper xarakteristikasini olish

---

10- laboratoriya ishi 
YARIM O’TKAZGICHLI DIODNING VOLЬT-AMPER XARAKTERISTIKASINI OLISH 
Ishning maqsadi: Diodning tuzilishi va ishlash printsipi bilan tanishish va uning volьt-
amper xarakteristikasini olish. 
ISH TO’G’RISIDA NAZARIY TUSHUNCHA 
p- va n- tipdagi ikkita yarim o’tkazgich (6-laboratoriya ishiga qaralsin)ni bip-biriga tekkizish 
yo’li bilan ularning kontaktida elektron-kovak yoki qisqacha p-n o’tish hosil qilish mumkin. p-n 
o’tish hosil qilish uchun yarim o’tkazgichlarni mexanik ravishda biriktirish yetarli emas, chunki 
bunda yarim o’tkazgichlar orasidagi masofa atomlar orasidagi masofaga qaraganda juda katta 
bo’ladi, p-n o’tish uchun esa bu masofa bir necha atomlararo masofadan ortmasligi kerak. 
p-n 
o’tishni 
hosil 
qilish 
bilan 
tanishib 
o’taylik, 
n-tipdagi 
yarim 
o’tkazgich(masalan,germaniy) plastinka olinib, uning ustiga III- gruppa elementlari (masalan, 
indiy)dan eritib payvandlanadi. Indiyning aktseptor atomlari germaniy kristalliga kirib 
(diffuziyalanib) germaniy plastinkasining sirti yaqinida p-tipdagi o’tkazuvchanlik zonasini hosil 
qiladi. Germaniy plastinkaning indiy yetib bormagan qismi n-o’tkazuvchanlikka ega bo’lib 
qolaveradi. r va n sohalar chegarasida kengligi 10-4 -10-6 sm chamasida bo’lgan kontakt qatlam 
hosil bo’ladi. Agar yarim o’tkazgach plastinka p-tipdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lsa, uning sirtida 
n-tip hosil qiluvchi V-gruppa elementlari (masalan,surma) eritib payvandlanadi. 
Endi bunday kontaktda yuz beradigan fizik hodisalarni ko’rib o’taylik. p-n o’tishga tashqi 
elektr maydoni qo’yilmagan bo’lsin, u holda n-yarim o’tkazgichdan p-n o’tish orqali p-yarim 
o’tkazgichga elektronlar, p-yarim o’tkazgichdan esa p yarim o’tkakzgichga kavoklar o’ta 
boshlaydi. Natijada n-yarim o’tkazgich musbat, p-yarim o’tkazgich manfiy zaryadlanib qoladi (38-
rasm,a) va elektron hamda kovaklarning p-n chegaradan o’tishiga to’sqinlik qiluvchi kontakt 
potentsiallar ayirmasi vujudga keladi (38-rasm, b). 
Agar n-yarim o’tkazgichga manfiy, p-yarim o’tkazgichga musbat potentsial qo’yilgan 
bo’lsa (39-rasm,a), ikkala yarim o’tkazgichning asosiy zaryad tashuvchilari p-n o’tish orqali o’tadi. 
Asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar, n-yarim o’tkazgichdagi kovaklar manbaning musbat 
qutbiga, p-yarim o’tkazgichda esa elektronlar manbaning manfiy qutbiga tomon harakat 
qiladi.natijada p-n o’tishning kengligi kamayadi (39-rasm, b) va zanjirdan tok o’tadi. 

---

Odatda, tokning bu holdagi yo’nalishini to’g’ri yo’nalish, tokni esa to’g’ri tok, deb ataladi. 
Agar manbaning manfiy qutbi p-yarim o’tkazgichga, musbat qutbi n-yarim o’tkazgichga 
ulangan bo’lsa (40-rasm,a), har bir yarim o’tkazgichning asosiy zaryad tashuvchilari kontaktdan 
uzoqlashib, manbaning qutblari tomonga harakat qiladi, asosiy bo’lmagan zaryad 
tashuvchilargina p-n o’tish orqali o’tadi, natijada kontakt potentsiallar ayirmasi ortadi (40-
rasm,b). p-n o’tishning kengligi ham ortib ketadi, zanjirdan esa juda kuchsiz tok o’tadi. Tokning 
bu holdagi yo’nalishini teskari yo’nalish.tokni esa teskari tok deb yuritiladi. 
Turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan yarim o’tkazgichlar kontaktida vujudga kelgan oraliq 
qatlamning qarshiligi to’g’ri yo’nalish uchun oz, teskari yo’nalish uchun katta bo’ladi. SHuning 
uchun bu qatlamni berkituvchi qatlam deb ham yuritiladi. 
Yuqorida aytilganlardan, p-n o’tishga berilayotgan kuchlanishni o’zgartirib undan 
o’tayotgan tokning o’zgarishini kuzatish mumkin ekanligi ko’rinib turibdi, bu esa p-n o’tishning 
volьt-amper xarakteristikasini olishdir. Demak, p-n o’tishning volьttamper xarakteristikasi deb, 
unga qo’yilgan kuchlanish bilan undan o’tayotgan tok kuchi orasidagi bog’lanishga aytiladi. p-n 
o’tishning volьt-amper xarakteristikasi quyidagi formula orqali ifodalanadi: 














1
exp
0