Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
476 
Целью настоящего исследования было выявление физических 
особенностей резистивного фотоприемника на основе кремния с атомами 
селена [5]. 
Аналогично, 
в качестве исходного материала использовался 
монокристаллический кремний 
р
-типа, легированный бором, с удельным 
сопротивлением 

=5 Ом·см (концентрация дырок 
р
=5·10
15
см
-3
). Легирование 
селена проводилось методом «низкотемпературной» диффузии [5]. Условия 
диффузии подбирались таким образом, чтобы получить высокоомный при 
Т
=300 К (практически полностью компенсированный) материал
р
-типа. 
После диффузии образцы подвергались соответствующей механической и 
химической обработке для удаления слоя силицидов селена. Электрические 
параметры образцов были исследованы методом эффекта Холла (Таб-1). 
Были получены образцы кремния с атомами селена с удельным 
сопротивлений 

=10
3
-10
4
Ом·см и с максимальным зарядовым состоянием 
нанокластеров (
р
-типа) [ 6 ]. 
Для исследования спектральной зависимости ФП использовался 
монохроматор на основе установки ИКС-21, снабженной криостатом. Чтобы 
исключить попадание рассеянного в монохроматоре, а также фонового 
излучения на образец использованы фильтры из двухсторонне полированных 
кремневых пластин толщиной d~380 мкм, которые поставлены на входе 
монохроматора и непосредственно в окошке криостата [7]. 
Ном
ер обра
зц
а 
Ис
ходн
ый
Те
м
пе
ра
тура
ди
фф
уз
ия
0
С
ти
п 
Уд
ель
ное
соп
рот
ивле
ни
я 
ρ , Ω * см
К
он
це
нт
ра
ци
я 
нос
ит
еле
й 
p
,n
,с
м
-3
Подв
ижн
ос
ть
нос
ит
еле
й 
µ
,с
м
/(
V
*
s)
П
оложе
ни
е уровня 
Фе
рм
и 
F
,eV
Фот
о 
чувс
тви
те
ль
нос
ти
1 
1085 
p 
3,8·10
3
1,2·10
13
75 
Ev + 0.365 
147 
2 
1088 
p 
5,2·10
3
1,4·10
13
82 
Ev+ 0.358 
175 
3 
1090 
p 
1,1·10
4
1,6·10
12
112 
Ev+ 0.425 
260 
4 
1095 
p 
5,13·10
5
1,3·10
11
91 
Ev + 0.486 
280 
Таблица 1. Основные параметры образцов кремния с атомами Se. 
На рис 1 показана спектральная зависимость фотопроводимости 
кремния с атомами селена, измеренная в области примесной 
фотопроводимости при величине электрического поля в образце 6.5 V/cm и 
Т=100К. Отдельным экспериментом было показано, что собственная 
фотопроводимость образцов кремния с атомами селена сохраняется такой же 
как у контрольных (чисто кремниевых) [8-9]. 

---