Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
428 
3. Bakhadirkhanov M.K., Tachilin S.A., Ismailov B.K. Diffusion of clusters 
of impurity nickel atoms in the crystal lattice of silicon // Modern trends in the 
development of modern physics of semiconductors: problems, achievements and 
prospects. 2020. pp. 13-18. 
4. Bahadirkhanov M.K., Ismaylov B.K., Ismailov K.A., Zikrillaev N.F., 
Isamov S.B. On How Thermal Annealing Affects the State Of Clusters Of Nickel 
Atoms In Crystal Lattice Of Silicon // International Journal of Advanced Science 
and Technology. Vol. 29, No. 9s, (2020), pp. 6308-6312.
 
 
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ 
p – n
-СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ НА 
ОСНОВЕ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК, ПОЛУЧЕННЫХ НА КРЕМНИЕВЫХ 
ПОДЛОЖКАХ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ПАРОГАЗОВОГО 
ОСАЖДЕНИЯ
 
А. Кутлимуратов 
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, 
г.Ташкент, Узбекистан, e-mail: [e-mail]
  
Алмаз уникален не только по своим механическим свойствам, но он 
представляет особый интерес по своим полупроводниковым свойствам и 
твердотельным физическим характеристикам, таким как, высокая 
решеточная теплопроводность, термо- и радиационная стойкость и другие, 
которые необходимы для развития специального микроэлектронного 
приборостроения на его основе. Полупроводниковые свойства алмаза были 
открыты в середине XX века и, в то время существовало мнение, что алмаз 
совершит революцию в области микроэлектроники, которые могут работать 
в экстремальных условиях (до температур 400-500 

С, а также в космических 
условиях). Такие надежды были связаны, во-первых, с редкой совокупностью 
свойств алмаза, таких как высокая теплопроводность, большой коэффициент 
оптического преломления, радиационная, тепловая, химическая стойкость и 
другие, обнаруженные в процессе физических исследований природных 
алмазов. Во-вторых, применение дешевых, но доступных и подходящих для 
выращивания алмазных пленок подложек, позволяет намного снизить 
стоимость полупроводниковых приборов, получаемых на их основе, что 
является основным фактором широкомасштабного производства таких 
приборов. Основными материалами для изготовления подложек, пригодных 
для выращивания алмазных пленок и создания на их основе приборов с 
уникальными свойствами, являются кремний, карбид кремния (в случае 
изготовления силовых диодов), синтетический опал (синтетический кварц со 
специальными свойствами), графит и др. [1,2].

---