“ZAMONAVIY TA‟LIM TIZIMINI RIVOJLANTIRISH VA UNGA QARATILGAN KREATIV G‟OYALAR,
TAKLIFLAR VA YECHIMLAR” MAVZUSIDAGI 27-SONLI RESPUBLIKA ILMIY-AMALIY ON-LINE
KONFERENSIYASI
www
.
bestpublishing.
org
234
kanal. Shundan so‗ng stok toki yakuniy qiymatga ega bo‗ladi va zatvordagi kuchlanishga
bog‗liq bo‗ladi. Bu MDYa-tranzistorning rejimidir. Kirish toki (zatvor zanjirida) kam
bo‗lganligi uchun quvvat bo‗yicha kuchaytirish bo‗ladi.
Muvozanat holatda mavjud bo‗lmagan va tashqi kuchlanish ta‘sirida hosil bo‗luvchi
kanallar induksion (hosil bo‗ladigan) deyiladi. Hosil bo‗lgan kanalning qalinligi (1-2 nm)
deyarli o‗zgarmasdir. Shuning uchun kanal o‗tkazuvchanligining modulyasiyasi
tashuvchilar konsentrasiyasining o‗zgarishi tufaylidir. Kanal hosil bo‗lishiga olib keluvchi
zatvordagi kuchlanishni ostonaviy kuchlanish deb atashadi va U0 bilan belgilanadi.
Kanalning uzunligi
L
istok va stok qatlamlari orasidagi masofaga teng bo‗lsa, kenligi
Z
–
mazkur qatlamlarning kengligiga tengdir
Agarda n-turdagi taglik tanlansa, istok va stok qatlamlarini p+-turda qilinsa, p-kanalli
hosil bo‗linadigan MDYa-tranzistor hosil bo‗ladi. Unga teskari qutubdagi ostonaviy va
ishchi kuchlanish xarakterlidir:
,
MDYa-tranzistor tagliklarini, kanalni hosil bo‗lishini osonlashtirish va istok hamda
stok o‗tishlarning teshilish kuchlanishini oshirish maqsadida yuqori solishtirma qarshilikka
ega bo‗lgan materialdan tayyorlashadi.MDYa-tranzistorlarning ishlash mexanizmi va
xossalari bir xildir. Biroq ayrim farq mavjuddir. Birinchidan, n-kanalli tranzistorlarning
ishchi tashuvchilari – elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga qaraganda uch marta
katta bo‗lganligi uchun ular tezkor bo‗ladi. Ikkinchidan, n- va p- kanalli tranzistorlarning
sirtoldi qatlamlarining strukturasi muvozanat holatda farq qiladi. Bu esa ostonaviy
kuchlanish kattaligiga ta‘sir qiladi.
Ba‘zida oksiddagi musbat zaryad nafaqat kambag‗allashgan, balki invers qatlamni
hosil qilishi mumkin, ya‘ni n-kanalni. Bunday kanal nol kuchlanishda mavjud bo‗lganligi
uchun uni induksiyalangan deb bo‗lmaydi. Demak, ostonaviy kuchlanish kattaligi o‗zining
oddiy ma‘nosini yo‗qotadi. Mazkur turdagi tranzistorlarda kanalni mavjud bo‗lgan deb
atashsa, ostonaviy kuchlanish o‗rniga uzish kuchlanishi degan parametr kiritiladi. Bu
kuchlanishda muvozanatdagi inversion qatlamdagi elektronlar sirtdan ittariladi va mavjud
bo‗lgan kanal yo‗q bo‗ladi. Bunday tranzistorlar zatvordagi kuchlanishning ikkala qutbida
ishlaydi: manfiy qutubda kanal tashuvchilar bilan kambag‗allashgan va stok toki kamayadi,
musbat qutubda kanal boyitiladi va tok oshadi. Zatvordagi kuchlanishning bitta qutbida
ishlasa ham kanali hosil qilinadigan tranzistorlar keng tarqalgandir. Ichki kanal talab
qilingan hollarda kanal, ionli legirlash usuli yordamida yupqa sirt oldi qatlami ko‗rinishida
tayyorlanadi.
Do'stlaringiz bilan baham: