O’zbekiston respublikasi

Integral  –  injeksion  mantiq  elementi  (I
2
M).  Kalit  komplementar    bipolyar  
tranzistorlar  juftligidan  tashkil  topgan  bo‗lib,  n-p-n    turli  VT1  tranzistor 
ko‗pkollektorli    bo‗lib,  uning    baza  zanjiriga  p-n-p  turli  VT2  ko‗pkollektorli 
tranzistor  ulangan.  Bu  tranzistor  injektor  nomini  olgan  bo‗lib,  barqaror  tok 
generatori vazifasini bajaradi (70 a – rasm.) 
 
a)                                                        b) 
70 – rasm. 
 
VT1  tranzistor  emitter  –  kollektor  oralig‗i  kalit  vazifasini  bajaradi.  Signal 
manbai  va  yuklama  sifatida  xuddi  shunday  sxemalar  ishlatiladi.  Agar  kirishga 
mantiqiy  birga  mos  keluvchi  yuqori  potensial  berilsa,  VT1  tranzistor  ochiladi  va 
to‗yinish  rejimida  bo‗ladi.  Uning  chiqishidagi  potensial  nol  potensialiga  mos 
keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 tranzistorning 
emitter o‗tishi berkiladi. Kovaklar toki  I
Q
  (qayta  ulanish  toki)  VT1  tranzistorning 
kollektor  o‗tishini  teskari  yo‗nalishda  ulaydi.  Buning  natijasida  VT1  chiqish 
qarshiligi  keskin  ortadi  va  uning  chiqishida  mantiqiy  bir  potensiali  hosil  bo‗ladi. 
Ya‘ni mazkur sxema yuqorida ko‗rilgan sxemalar kabi invertor vazifasini bajaradi.  
Mantiqiy  amallarni  bajarish  invertor  chiqishlarini  metall  simlar  bilan  birlashtirish 
natijasida  amalga  oshiriladi.  70  b  –  rasmda  HAM  amalini  bajarish  usuli 
ko‗rsatilgan. Haqiqatdan ham, agar X1 yoki X2 kirishlardan biriga yuqori potensial 
berilsa U
1
KIR
, natijada birlashgan chiqishlarda (A nuqta) past potensial hosil bo‗ladi 

---

 
 
99 
99 
U
0
.  Natijada 
1
x
  va 
2
x
invers  o‗zgaruvchilarning  kon‘yuksiyasi  bajariladi.  Ular 
VT1 va  VT3 invertor chiqishlarida hosil bo‗ladi: 
2
1
x
x
y


. I
2
M elementining 
tezkorligi  10

100  ns  va  iste‘mol  quvvati  0,01

0,1  mVt.  Kristallda  bitta  I
2
M 
elementi  KMDYa  –elmentga  nisbatan  3

4    marta  kichik,  TTM  –  elementiga 
nisbatan esa 5

10 marta kichik yuzani egallaydi.  
 
 
 
 
 
 
Ko‗rib o‗tilgan mantiqiy IMS negiz elementlarining  
asosiy parametrlari jadvali 
7- jadval 
Parametr  
Negiz element turi  
TTM 
TTMSh 
n – MDYa  
Kuchlanish 
manbai, V 
 
5 
 
5 
 
5 
Signal mantiqiy 
o‗tishi 
 (U
1
ChIQ
- U
0
ChIQ
), V 
 
4,5-0,4 
 
4,5-0,4 
 
TTM bilan mos 
keladi 
Ruxsat etilgan 
shovqinlar 
darajasi, V 
 
0,8 
 
0,5 
 
0,5 
Tezkorligi,  
t
K. O‘RT 
, ns 
 
5-20 
 
2-10 
 
10-100 
Iste‘mol quvvati, 
mVt 
 
2,5-3,5 
 
2,5-3,5 
 
0,1-1,5 
Yuklama qobiliyati 
 
10 
 
10 
 
20 
 
 
8- jadval 
Parametr  
Negiz element turi 
KMDYa 
EBM 
I
2
M  
Kuchlanish 
manbai, V 
 
3-15 
 
-5,2 
 
1 
Signal mantiqiy 
o‗tishi 
 (U
1
ChIQ
- U
0
ChIQ
), V 
 
Yep-0 
 
(-1,6)-(-0,7) 
 
0,5 
Ruxsat etilgan 
shovqinlar 
darajasi, V 
 
0,4Ep 
 
0,15 
 
0,1 

---

 
 
100 
100 
Tezkorligi,  
t
K. O‘RT 
, ns 
 
1-100 
 
0,7-3 
 
10-20 
Iste‘mol quvvati, 
mVt 
 
0,01-0,1 
 
20-50 
 
0,05 
Yuklama qobiliyati 
 
50 
 
20 
 
5-10 
 
 
 
 
 
 
Asosiy raqamli IMS seriyalarining mantiq turlari 
9 - jadval 
Mantiq turi 
Raqamli IMS seriya raqami  
TTM 
155, 133, 134, 158 
TTMSh 
130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, K530, 531, 1531, 
1533, KR1802, KR1804 
EBM 
100, K500, 700, 1500, K1800, K1520 
I
2
M 
KR582, 583, 584 
r - MDYaTM 
K536, K1814 
n - MDYaTM 
K580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813 
KMYaTM 
164, 764, 564, 765, 176, 561 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

 
 
101 
101