O’zbekiston respublikasi

Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). 68 – 
rasmda  n  –  kanali  induksiyalanuvchi  MDYa  –  tranzistorlarda  bajarilgan  sxema 
keltirilgan.  

---

 
 
97 
97 
 
 
68 – rasm. 
 
Yuklama  tranzistori  VT0  doim  ochiq.  Chiqishda  juda  kichik  kuchlanish 
darajasi U
0
ChIQ
 ni ta‘minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal 
qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‗lishi kerak. Shu sababli 
VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali 
esa  -    uzun  va  tor  qilib  yasaladi.  Biror  kirishga  yoki  ikkala  kirishga  mantiqiy  bir 
darajasiga  mos  keluvchi  musbat  potensial  berilsa,  (U
1
KIR

U
BO‘S
),  bir  yoki  ikkala 
tranzistor  ochiladi  va  chiqishda  mantiqiy  nol  o‗rnatiladi  (U
0
ChIQ

U
BO‘S
).  Agar 
ikkala  kirishga  ham  mantiqiy  nol  berilsa,  u  holda  VT1  va  VT2  tranzistorlar 
berkiladi.  Chiqishdagi  potensial  mantiqiy  birga  mos  keladi.  Element  2YoKI  –
EMAS amalini bajaradi. Iste‘mol quvvati 0,1

1,5 mVt, tezkorligi esa - 10

100 ns 
ni tashkil etadi. 
O‗KIS va KISlarda KMDYa va I
2
M mantiqiy elementlari  qo‗llaniladi. Ular 
tarkibida  rezistorlar  bo‗lmaydi  va  mikrotoklar  rejimida  ishlaydilar.  Shu  sababli 
kristallda  kichik    yuzani  egallaydilar  va  kam  quvvat  iste‘mol  qiladilar.  KISlarda 
elementlar  soni  10
5
  ta  bo‗lganda  bir  element  iste‘mol  qilayotgan  quvvat  0,025 
mVT dan oshmasligi kerak.