O’zbekiston respublikasi

3.6.  Kanali qurilgan MDYa – tranzistor 
 
33  –rasmda  n  –  turdagi  kanali  qurilgan  MDYa  tranzistor    tuzilmasi  (a)  va 
uning shartli belgisi (b) keltirilgan. 
Agar  U
ZI
  =  0  bo‗lganda  U
SI
  kuchlanish  o‗rnatilsa,  u  holda  kanal  orqali 
elektronlar hisobiga tok oqib o‗tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish 
berilsa,  kanalda  ko‗ndalang  elektr  maydon  yuzaga  keladi  va  uning  ta‘sirida 
kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‗allashib 
boradi,  uning  qarshiligi  ortadi  va  stok  toki  kamayadi.  Zatvordagi  manfiy 
kulchlanish  qancha  katta  bo‗lsa,  bu  tok  shuncha  kichik  bo‗ladi.  Tranzistorning 
bunday  rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi. 

---

 
 
56 
56 
Agar  zatvorga  musbat  kuchlanish  ta‘sir  ettirilsa,  hosil  bo‗lgan  elektr 
maydoni  ta‘sirida,  istok  va  stok,  hamda  kristalldan  kanalga  elektronlar  kela 
boshlaydilar, kanalning o‗tkazuvchanligi  va shu  bilan birga stok toki ortib boradi. 
Bu rejim boyish rejimi deb ataladi. 
Ko‗rib  o‗tilgan  jarayonlar  34  a  –  rasmda  keltirilgan  statik  stok  –  zatvor 
xarakteristikada:  U
SI
=const  bo‗lgandagi I
S
= f (U
ZI
) bilan ifoda-langan. 
ЗИ
U

0  bo‗lganda  tranzistor  boyish  rejimida, 
ЗИ
U

0  bo‗lganda  esa 
kambag‗allashish rejimida ishlaydi. 
 
a)                                              b) 
33 – rasm. 
 
Boyish  rejimida  stok  xarakteristikalari  U
ZI
  =  0  da  olingan    boshlang‗ich 
xarakteristikadan    -  yuqorida,  kambag‗allashish  rejimida  esa  –  pastda  joylashadi 
(34 b- rasm). 
 
 
a)                                                    b) 
34 – rasm. 
S,  Ri  va

  statik  differensial  parametrlar  xuddi  p–n  –o‗tish  bilan 
boshqariladigan  maydoniy  tranzistorlardagi  (3.14),  (3.15)  va  (3.16)  ifodalardan 
mos ravishda aniqlanadi. 
Xarakteristika  tikligi  va  ichki  qarshilik  barcha  turdagi  maydoniy 
tranzistorlardagi  kabi  qiymatlarga  ega  bo‗ladi.  Kirish  qarshiligi  va  elektrodlararo 
sig‗imlarga  kelsak,  MDYa  –  tranzistorlar  p-n  o‗tish  bilan  boshqariladigan 
maydoniy  tranzistorlardagiga  nisbatan  yaxshi    ko‗rsatkichlarga  ega.  R
ZI
  kirish 
qarshiligi  bir  necha  darajaga  yuqori  bo‗lib  10
12
-10
15
  Om  ni  tashkil  etadi. 

---

 
 
57 
57 
Elektrodlararo sig‗imlar qiymati S
ZI
, S
SI 
lar uchun  -10 pF dan,  S
ZS 
uchun  -2 pF dan 
ortmaydi. Bu ko‗rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.