O’zbekiston respublikasi

3.5.  Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor 
P – n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda 
MDYa–tranzistorlarda  metall  zatvor  kanal  hosil  qiluvchi  o‗tkazgichli  sohadan 
doim  dielektrik  qatlami  yordamida  izolyatsiyalangan.  Shu  sababli  MDYa–
tranzistorlar  zatvori  izolyatsiyalangan  maydoniy  tranzistorlar  turiga  kiradi. 
Dielektrik  qatlami  SiO
2
  dielektrik  oksidi  bo‗lganligi  sababli,  bu  tranzistorlar  
MOYa  –  tranzistorlar  (metall  –  oksid-  yarim  o‗tkazgichli  tuzilma)  deb  ham 
ataladilar. 
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‗ndalang elektr maydoni ta‘sirida 
dielektrik  bilan  chegaralangan  yarim  o‗tkazgichning  yuqori  qatlamida 
o‗tkazuvchanlikni  o‗zgartirish  effektiga  asoslangan.  Yarim  o‗tkazgichning  yuqori 
qatlami tranzistorning tok o‗tkazuvchi kanali vazifasini  bajaradi. 
p  –  kanali  induksiyalangan  MDYa    -  tranzistor  tuzilmasi  30  a  –rasmda  va 
uning shartli belgisi 30 b- rasmda keltirilgan. 
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – 
Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan. 
Stok  va  istoklarning  p
+
  -  sohalari  n  –  turdagi  yarim  o‗tkazgich  bilan  ikkita  
p–n  o‗tish  hosil  qilganligi  sababli,  U
SI
  kuchlanishining  biror  qutblanishida  bu 
o‗tishlardan  biri  teskari  yo‗nalishda  ulanadi  va  stok  toki  I
S
  deyarli  nolga  teng 
bo‗ladi. 
 
 
a)                                             b) 
30 – rasm. 
 

---

 
 
55 
55 
Tranzistorda  tok  o‗tkazuvchi  kanal  hosil  qilish  uchun  zatvorga  teskari 
qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO
2
 dielektrik qatlami orqali 
yarim  o‗tkazgichning  yuqori  qatlamiga  kiradi,  undagi  asosiy  zaryad  tashuvchilar 
(elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‗lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) 
ni  o‗ziga  tortadi.  Natijada  yuqori  qatlam  elektronlari  kambag‗allashib,  kovaklar 
bilan  esa  boyib  boradi.  Zatvor  kuchlanishi  bo‗sag‗aviy  deb  ataluvchi  ma‘lum 
qiymati  U
0 
ga  yetganda,  yuqori  qatlamda  elektr  o‗tkazuvchanlik  kovak 
o‗tkazuvchanlik bilan  almashadi  va  istok  va  stokni  bir  –  biri bilan  bog‗lovchi  p- 
turdagi  kanal  shakllanadi. 
0
U
U
ЗИ

  bo‗lganda  yuqori  qatlam  kovaklar    bilan 
boyib  boradi,  bu  esa  kanal  qarshiligini  kamayishiga  olib  keladi.  Bu  vaqtda  stok 
toki I
S
 ortadi. 31 – rasmda p – kanali induksiyalangan MDYa  - tranzistorning stok 
– zatvor VAXsi  keltirilgan. 
 
                                31 – rasm.                          32 – rasm. 
 
32  –  rasmda  n  -  kanali  induksiyalangan  MDYa    -  tranzistorning  chiqish 
(stok)  xarakteristiklar  oilasi  keltirilgan.  Zatvorga  ma‘lum  kuchlanish  berilganda 
СИ
U
ning  ortib  borishiga  ko‗ra  stok  toki  nol  qiymatdan  avvaliga  chiziqli 
ko‗rinishda  ortib  boradi  (VAX  ning  tikka  qismi),  keyinchalik  esa  ortish  tezligi 
kamayadi  va  yetarlicha  katta 
СИ
U
  qiymatlarida  tok  o‗zgarmas  qiymatga  intiladi. 
Tok ortishining to‗xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‗liq.