Conference Paper

3. 
Патент№ FAP 2015 0107 от 15.03.2017 г., Фотоэлектрическая установка Турсунов 
М.Н., Сабиров Х., Юлдошев И.А., Комолов И.М., Раджапов Б.С.
 
4. 
R.A. Muminov, M.N. Tursunov, X. Sabirov, U.Abdiev, B.A. Yuldoshov, Sh.N. 
Abilfayziev, “Study of the Parameters of a Photo of a Thermal Battery with a cell 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
226 
Polycarbonate Collector”, 
International Journal of Advanced Research in Science, 
Engineering and Technology, vol. 6, no. 12, pр. 12018-12023, 2019.
НУР ЎТКАЗУВЧИ ҚАТЛАМ ҚАЛИНЛИГИНИ ЮПҚА ҚАТЛАМЛИ GaAs 
ҚУЁШ ЭЛЕМЕНТИНИНГ Ф.И.К. ВА ҚИСҚА ТУТАШУВ ТОКИГА ТАЪСИРИ 
Аминов У.А., Тўраева Г.Ш., Аллашукурова М.У., Ражабов О. 
Урганч давлат университети 
 
Ҳозирча аҳолида қайта тикланадиган энергия манбалари яъни, қуёш, биогаз ва 
шамол энергиясидан фойдаланишга доир илмий ва амалий тажриба етишмайди. Бундай 
ҳолат кўплаб ривожланаётган мамлакатлар учун ҳам хосдир. Мамлакатимиз олимлари 
қайта тикланадиган энергетиканинг технологик жиҳатдан ривожланишига қараб олға 
интилиши, хусусий тармоқни қуёш ва шамол энергиясидан фойдаланиш жараёнига 
жалб этиш имконини берадиган иқтисодий муҳитни яратиши ва шу тариқа мамлакат 
энергетика балансида қайта тикланадиган энергия улушини ошириши лозим [1].
Бугунги кунда эса мамлакатимизда қайта тикланадиган энергиядан 
фойдаланишнинг йўл харитаси ишлаб чиқилган бўлиб, бунга мисол қилиб 2017-2021 
йилларда Ўзбекистон Республикасини ривожлантиришнинг бешта устувор йўналиши 
бўйича Ҳаракатлар стратегиясида белгиланган кенг кўламли вазифаларнинг муҳим 
таркибий қисми қайта тикланувчи энергия манбаларидан фойдаланишни кенгайтириш 
масаласига қаратилгани ҳам бежиз эмаслигини айтиш мумкин [2]. 
Ушбу мақола юқорида келтирилган муаммоларни илмий ечимларидан бирига 
қаратилган бўлиб, бунда қуёш энергиясини электр энергиясига айлантириб берувчи 
юпқа қатламли GaAs қуёш элементининг нур ўтказувчи қатлам қалинлигини қисқа 
туташув токи ва ФИК га таъсири моделлашириш ёрдамида ўрганилган. Ушбу иш 
Sentaurus TCAD дастури ёрдамида моделлаштирилган бўлиб, бунда юпқа қатламли 
GaAs қуёш элементига тушаётган ёруғликни ўтказувчи яъни антиқайтарувчи MgF 
(Arc1) ва TiO
x
(Arc2) қатламлар учун қайтариш матрица методи (the transfer matrices 
method) қўлланилган. Ўрганилаётган юпқа қатламли GaAs қуёш элементининг 
геометрик тузилиши 1-расмда келтирилган. Ушбу юпқа қатламли GaAs қуёш элементи 
геометрик параметрлари эса 1-жадвалда келтирилган.