Materialshunoslik indd

                         a)                                              b)
10.5-rasm. Migratsion qutblanish.
O‘z-o‘zidan (spontan) qutblanish(C
o‘ 
, q
0’ 
, r
0’
 )
 segnetoelektriklarga 
xos bo‘lib, birinchi bor u segnet tuzi (KC
4
 H
4
 O
6
4H
2
O) da kuzatiladi. 
Tashqi maydon bo‘lmaganda segnetoelektrikning ma’lum qismida di-
pollar o‘z­o‘zidan bir­biriga nisbatan moslashib, aniq yo‘nalish oladi. 
O‘z­o‘zidan qutblanuvchi moddalarning alohida sohalarida (domen
-
larida)  elektr  momenti  yo‘nalishi  turlicha  bo‘ladi.  Tashqi  maydon 
ta’sirida domenlarning elektr momenti maydon tomon yo‘naladi 
va shu sababli kuchli qutblanish sodir bo‘ladi. Segnetoelektrikning 
dielektrik  singdiruvchanligi  juda  ham  yuqori  (500–20000)  bo‘lib, 
u  maydon  kuchlanganligi  va  haroratga  uzviy  ravishda  bog‘liqdir. 
Dielektrik gisterezis segnetoelektrikning xarakterli xususiyatlaridan 
biridir. Kyuri nuqtasi bilan bog‘liq harorat qiymatlarida domenli qutb-
lanish kuzatiladi va u elektr maydoni kuchlanganligida nochiziqli 
bog‘lanishga ega bo‘ladi. Tashqi maydon kuchlanganligining ma’lum 
qiymatidan boshlab to‘yinish ro‘y berib, qutblanish o‘zgarmay qo-
ladi,  aksincha,  maydon  ta’siri  pasaytirilganda  va  u  ordinata  o‘qini 
kesib, nolga teng bo‘lganda jism qutblanishi ma’lum qiymatgacha pa
-
16
 Callister,William D., Materials science and engineering: an introduction, 
7th ed.p.cm/ ­ Printed in the United States of America/ John Wiley & Sons, Inc.­ 
2007. 51­bet.

---

170
sayadi. Shuning uchun ham o‘z­o‘zidan qutblanish jarayonida dielek­
trikning  singdiruvchanligi  elektr  maydon  kuchlanganligiga  bog‘liq 
bo‘ladi (10.6­rasm).