322
Полученные данные обрабатывались для экстраполяции вольт-амперной
характеристики (I-V) при стандартных условиях испытания (STC), чтобы продолжить
сравнение с номинальными данными, заявленными производителем модулей.
Кривая вольт-амперной характеристики солнечной панели описывает их
способность к преобразованию энергии при существующих
условиях освещенности
(уровня освещенности) и температуры (рис.5).
Рис. 5. Вольт-амперные характеристики солнечного панелей до и после
эксплуатации.
Из рис.5. видно, что диапазон ВАХ колеблется от тока короткого замыкания (I
sc
) при
нулевом напряжении до нулевого тока при напряжении холостого хода (V
oc
). На «изгибе»
нормальной ВАХ находится точка максимальной мощности (I
mp
, V
mp
), точка, в которой
массив генерирует максимальную электрическую мощность Р(Вт). При напряжениях
значительно ниже V
mp
поток генерируемого солнечными панелями электрического заряда
к внешней нагрузке относительно не зависит от выходного напряжения. Ближе к изгибу
кривой это поведение начинает меняться. По мере дальнейшего
увеличения напряжения
увеличивающийся процент зарядов рекомбинирует внутри солнечных элементов, а не
утекает через нагрузку. В V
oc
все заряды внутренне рекомбинируют. Точка максимальной
мощности, расположенная в изгибе кривой, это точка (I, V), в которой произведение тока и
напряжения достигает своего максимального значения.
При нормальных условиях солнечной освещенности ток короткого замыкания
можно считать эквивалентным фототоку
I
ф
, то есть
пропорциональным солнечной
освещенности
Е
(Вт/м
2
). Но это может привести к некоторому отклонению от
экспериментального результата, поэтому в этой работе введен степенной закон с
экспонентой для учета нелинейного эффекта, от которого зависит фототок
I
ф
. Ток короткого
замыкания
I
sc
солнечных панелей не сильно зависит от температуры. Она имеет тенденцию
незначительно увеличиваться с увеличением температуры модуля. С
точки зрения
производительности фотоэлектрического модуля, моделирование этого изменения можно
считать незначительным. Тогда ток короткого замыкания
I
sc
можно просто рассчитать по
формуле
𝐼
𝑠𝑐
= 𝐼
𝑠𝑐0
(
𝐸
𝐸
𝑜
)
𝑎
(1)
где,
𝐼
𝑠𝑐0
- ток короткого замыкания фотоэлектрического модуля при стандартной солнечной
освещенности
Е
0
(Вт/м
2
); в то время как
I
sc
- это ток короткого замыкания
фотоэлектрического модуля под солнечным излучением
Е
(Вт/м
2
);
a
- показатель степени,
отвечающий за все нелинейные эффекты, от которых зависит фототок
I
ф
.
Нам известно [3,4], что зависимость напряжения холостого хода
V
o
c
от освещенности
следует
логарифмической
функции,
а
влияние
температуры
обусловлено
экспоненциальным увеличением тока насыщения с увеличением температуры.
C учетом
323
влияния температуры, напряжение холостого хода
V
oc
при любых заданных условиях может
быть выражено по это формуле
𝑉
𝑜𝑐
=
𝑉
𝑂𝐶0
1 + 𝑏𝑙𝑛
𝐸
0
𝐸
(
𝑇
0
𝑇
)
𝛾
(2)
где,
V
oc
и
V
ОС0
- напряжение холостого хода фотоэлектрического модуля при нормальном
солнечном излучении
Е
и стандартном солнечном излучении
Е
0
;
b
- безразмерный
коэффициент, зависящий от технологии
фотоэлектрических модулей;
𝛾
- показатель
степени, учитывающий все нелинейные эффекты температуры и напряжения. T и T
0
представляют собой температуру фотоэлектрического модуля при нормальном солнечном
излучении
Е
и стандартном солнечном излучении
Е
0
. На рис.6. представлена Р-V
фотоэлектрического модуля.
Do'stlaringiz bilan baham: