26- mavzu: Operatsion tizim

 DRAM xotirasi 

Dinamik  operativ  xotira  qurilmasi  (Dynamic  RAM  —  DRAM)  ko‘pchilik 

zamonaviy  shaxsiy  kompyuterlar  operativ  xotira  tizimlarida  foydalaniladi.  Bu 

xotiraning  o‘ziga  xosligi  shundaki,  uning  katakchalari  (yacheykalari)  juda  zich 

joylashgan,  ya’ni  unchalik  katta  bo‘lmagan  mikrosxemaga  ko‘plab  bitlar 

joylashgan  mumkin,  demak,  shu  asosda  xotirani  katta  xajmli  qilib  yaratish 

---

 

21 

mumkin. DRAM mikrosxemasida xotira katakchalari  — bu zaryadlarni ulaydigan 

mitti  kondensatorlardir.  Shu  asnoda  bitlar  kodlanadi.  Bu  tipdagi  xotiralar  bilan 

bog‘liq muammolar shundaki, ular dinamik, ya’ni doimiy ravishda  regeneratsiya 

qilinishi kerak, aks holda elektr zaryadlari kondensator xotiralarida “oqib” keladi 

va  ma’lumotlar  yoqoladi.  Regeneratsiya  jarayoni  tizim  xotira  nazoratchisi  mitti 

tanaffus  oladi  va  mikrosxema  xotirasida,  barcha  ma’lumotlar  satriga  murojaat 

qiladi. Ko‘pchilik tizimlar xotira 15 mks ga teng bo‘lgan regeneratsiya chastotasi 

standart  ishlab  chiqarishga  moslashgan  nazoratchisiga  ega.  Ma’lumotlarning 

barcha satrlariga murojaat 128 mahsus regeneratsiya sikli o‘tishiga mo‘ljallangan. 

Bu shuni bildiradiki, Xotirada har 1,92 ms (128Ch15 mks) da barcha ma’lumotlar 

satrini  regeneratsiya  qilish  uchun  o‘qib  chiqiladi.  Xotirani  regeneratsiya  qilish 

protsessorni  vaqtini  har  bir  regeneratsiya  sikli  davomiyligi  bo‘yicha  bir  nechta 

markaziy  protsessor  vaqtini  egallaydi.  Eski  kompyuterlarda  regeneratsiya  sikllari 

protsessor vaqtini 10% gacha egalaydi, xozirgi zamonaviy kompyuterlarda esa bu 

jarayon  1%  vaqtni  egallaydi  xolos.  Birqancha  tizimlarda  regeneratsiya 

parametrlarini CMOS parametrlari dasturlari o‘rnatilishi yordamida o‘zgartirilishi 

mumkin,  ammo  regeneratsiya  sikllari  orasida  vaqtni  chuzilishi  xotiraning  ba’zi 

katakchalarida zaryad  “yo‘qotiladi”, bu xotirani buzilishiga olib keladi. Ko‘pgina 

hollarda  o‘z-o‘zidan  beriradigan  regeneratsiya  chastotalari  ishonchlilik  nuqtai-

nazaridan  taklif  etiladi.  Zamonaviy  kompyuterlarda  regeneratsiyaga  sarf  1%  dan 

kichik bo‘lib, regeneratsiya chastotasining o‘zgarishi kompyuter sifatiga juda kam 

ta’sir o‘kazadi. В устройствах DRAM qurilmalarida bir bitni saqlash uchun faqat 

bitta  tranzistor  va  juft  kondensatorlardan  foydalaniladi,  shuning  ucun  ilar  boshqa 

tiplarga  qaraganda  birmuncha    sig‘diruvchan  bo‘ladi.  Xozirgi  vaqtda  256  Mbit 

gacha  va  undan  yo‘qori  hajmli  dinamik  operativ  xotirali  mikrosxemalar  mavjud. 

Shu kabi mikrosxemalar 256 mln. (va undan ortiq) tranzictorlarni o‘zida jam etadi! 

Pentium II 7,5 mln tranzistorlarga ega. Bunday katta farq qayerdain kelib chiqdi? 

Gap  shundaki,  xotira  mikrosxemalari  odatda  kvadrat  tugunlar  shaklida, 

protsessordan  farqli  ravishda  (protsessorlarda  turli  ko‘rinishdagi  murakkab 

---

 

22 

sxemalar, noaniq tashkil etilgan) barcha tranzistorlar va kondensatorlar juda oddiy, 

davriy ravishda ketma-ket joylashadi. 

Bir  razryadli  DRAM  registrlari  uchun  tranziatorlar  qo‘shni  joylashgan 

kondensatorlarning  holatini  o‘qish  uchun  ishlatiladi.  Agar  kondensator 

zaryadlangan  bo‘lsa,  katakchaga  1  yoziladi;  agar  zaryadlanmagan  bo‘lsa  0 

yoziladi.  Zaryadlar  mitti  kondensatorarda  har  doim  o‘tib  turadi,  shuning  uchun 

doimiy ravishda regeneratsiya qilib boriladi. Manba’ uzatishda oniy bo‘linish ham 

regeneratsiya siklarini buzilishiga, DRAM katakchalaridagi zaryadni yo‘qolishiga 

o‘z  navbatida  ma’lumotlarni    yo‘qolishiga  olib  keladi.  Dinamik  operativ  xotira 

shaxsiy  kompyuterlarda  ishlatiladi;  chunki  u  unchalik  qimmat  o‘lmay 

mikrosxemalarini  zich  joylashishi  xotira  qurilmasining  kichik  maydonni 

egallashini  ta’minlaydi.  Bu  xotira  yo‘qori  tezlikli  xotiralardan  kam  farq  qilib, 

“sekin”  protsessorlarga  mo‘ljallangan.  Shuning  uchun  DRAM  sifatlarini 

yaxshilashning juda ko‘p tipdagi usullari mavjud.