часть
I.
Микроэлектроника 28(6), 405-414 (1999).
30 . Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell Syst. Tech. J. - 1956. - Vol. 35. P.
333–338.
31 . Ditrich Th., Rauscher S., et al. Ultrathin Luminescent Nanoporous silicon on
n-Si: ph-dependent preparation in aqueous NH4F solutions // Appl. Phys. Lett.
1995. – V.67, N.8. – P. 1134 – 1136.
32 .
L.T. Canham. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and
chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. – 1990. – V.57, N.10. – P.1046-
1048.
33
.
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. The structural and luminescence
properties of porous silicon // Appl. Phys. Lett. – 1997. – V.82, N.3. – P.909–965.
34
. Н.Н. Герасименко, А.А. Чамов, Н.А. Медетов, В.А. Ханин. Особенности
формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным
пучком // Письма в ЖТФ, том 36, стр. 38-45, 2010.
35 . В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, О.В. Кривозубов, Н.А. Давлеткильдеев, Е.В.
Князев. Волнообразные микроструктуры, формируемые на границе раздела
SiO
2
/Si при воздействии мощного ионного пучка // Письма в ЖТФ, 2013, том
39, вып. 3, С. – 11-17.
36. F. Korte, J. Serbin, J. Koch, A. Egbert, C. Fallinich, A. Ostendorf, B.N.
Chichkov. Towards nanostructuring with femtosecond laser pulses // Appl. Phys.
A. – 2003. – Vol.77. – P.229-235.
137
37. T. H. R. Crawford, A. Borowiec and H. K. Haugen. Femtosecond Laser
Micromachining of Grooves in Silicon with 800 nm Pulses // Appl. Phys. A. –
2005. – Vol.80. – P.1717-1724.
38.
Остапенко И.А., Заботнов С.В, Шандыбина Г.Д., Головань Л.А., Червяков
А.В., Рябчиков Ю.В., Яковлев В.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров В.К. Микро –
и наноструктурирование поверхности кристаллического кремния под
действием фемтосекундных лазерных импульсов. // Известия РАН: Серия
физическая, 2006. Т. 70. №9, С. 1315-1317.
39. К.Э.Лапшин, А.З.Обидин, В.Н.Токарев, В.Ю.Хомич, В.А.Шмаков,
В.А.Ямщиков. Формирование наноструктур на поверхности нитрида
кремния под воздействием излучения F2-лазера // Физика и xимия обработки
материалов. – 2008. – №1. – C.43-49
40. Godai Miyaji and Kenzo Miyazaki. Origin of periodicity in nanostructuring on
thin film surfaces ablated with femtosecond laser pulses // Optics Express. – 2008.
– Vol.16, N.20. – P.16265-16271.
41. Mengyan Shen, James E. Carey, Catherine H. Crouch, Maria Kandyla,
Howard A. Stone and Eric Mazur. High-Density Regular Arrays of Nanometer-
Scale Rods Formed on Silicon Surfaces via Femtosecond Laser Irradiation in
Water // Nano Lett. – 2008. – Vol.8, N.7. – P.2087-2091.
42. C. Radu, S. Simion, M. Zamfirescu, M. Ulmeanu, M. Enculescu, and M.
Radoiu. Silicon structuring by etching with liquid chlorine and fluorine precursors
using femtosecond laser pulses // J. Appl. Phys. – 2011. – Vol.110, N.3. – P.1063-
1068.
43. C. F. Tan, X. Y. Chen, Y. F. Lu, Y. H. Wu, B. J. Cho, J. N. Zeng. Laser
annealing of silicon nanocrystal films formed by pulsed-laser deposition // Journal
of Laser Applications. – 2004. – Vol.16, N.1. – P.40-45.
44. Leonid Khriachtchev, Timur Nikitin, Markku Räsänen, Alexandra
Domanskaya, Simona Boninelli, Fabio Iacona.et al. Continuous-wave laser
annealing of Si-rich oxide: A microscopic picture of macroscopic Si–SiO
2
phase
separation // J. Appl. Phys. – 2010. – Vol.108, N.12. – P.1063-1071.
45. Akira Watanabe, Fusao Hojo, Takao Miwa, Masatoshi Wakagi.
Nanocrystalline Silicon Film Prepared by Laser Annealing of Organosilicon
Nanocluster // Applied Surface Science. – 2002. – Vol.253, N.5. – P.2718-2726.
46. Nupur Saxenaa, Avinash Agarwala, D. Kanjilalb.
Effect of thermal annealing
on the formation of silicon nanoclusters in SiO
X
films grown by PLD // Physica B:
Condensed Matter. – 2011. – Vol.406, N.11. – P.2148-2151.
138
47. Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, А. А.Попов, Б. Н. Чичков. Кристаллизация
кластеров аморфного кремния в пленках SiN
x
на стекле с применением
наносекундных импульсных обработок излучением KrF лазера // Вестник
НГУ. Серия: Физика. – 2009. - Т. 4. - Вып. 2. - С. 47-52
.
48. М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин.
Образования нанокристаллов кремния с выделенной ориентацией 110 в
аморфных пленках Si:H на стеклянных подложках при наносекундных
воздействиях ультрафиолетового излучения. // ФТП. – 2002. – Т.36, №1 –
С.109-117.
49. Т.Т. Корчагина , В.А. Володин , B.N. Chichkov. Формирование и
кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN
x
: H с применением
фемтосекундных импульсных отжигов // ФТП. – 2010. – Т.44, №12 – С.1660-
1665.
50. A. Medvid, I. Dmitruk, P. Onufrijevs and I. Pundyk. Laser Induced Self-
Organization of Nanohills/Nanowires in SiO
2
/Si Interface // ACTA PHYSICA
POLONICA A. – 2008. – Vol.113, №3 – P.1067-1070.
51. Arthur Medvid, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs, Iryna Pundyk. Properties of
Nanostructure Formed on SiO
2
/Si Interface by Laser Radiation // Solid State
Phenomena. – 2007. – Vol.131-133 – P.559-562.
52. A. Medvid, P. Onufrijevs, D. Kropman, E. Mellikov, F. Mukepavela,
Do'stlaringiz bilan baham: |