Piroliz yo’li bilan kremniy oksid qatlamini o’stirish
Nisbatan sodda va texnologik jihatdan qulay oksid o‘stirish usuli turli xil
kremniy organik birikmalarini parchalab, SiO
2
qatlamini kremniy plastinkasi ustida,
uning ishtirokisiz, o‘stirishdir. Bu usul afzalligi taglikdagi kirishma atomlarini oksid
qatlamga o‘tmasligi, ya‘ni, taglik faol va passiv sohalarini geometrik o‘lchamlari va
elektr parametrlarini saqlanishidir. Oksid qatlam o‘stirish nisbatan past haroratda
amalga oshadi.
Do'stlaringiz bilan baham: |