Parallel tebranish konturining tadqiqoti

LABORATORIYA №6

Parallel tebranish konturining tadqiqoti

Ishning maqsadi - parallel tebranish konturining chastotaviy tavsiflarini, manbaning ichki qarshiligi va yuklanish qarshiligining chastotaviy tavsiflarga ta’sirini NI Multisim dasturiy muhiti yordamida eksperimental tekshirish.

Topshiriqni bajarish uchun Qiymatlar

L=5mGn C=35nF R1=50kOm Rn=50kOm

R=R1=50kOm	L=5mGn	C=35nF	U=5V
1 ^𝑓0 ^= ^2𝜋√^𝐿𝐶 = 12037	^𝜌^=√^𝐿/𝐶 = 378	𝜌 𝑄 = 𝑅 = 7.56 1	𝑅𝑝 = 𝑄𝜌 = 2857.4
Ri=50kOm	Rn=50kOm	Rre=(Rp +Ri ^1^+R^-1^)^-^1=13330 n	𝑄 = ^𝑅𝑟𝑒 𝑒 𝜌 = 0.897

𝑅_𝑝 = 𝑄𝜌 = 0.00756 ∗ 378 = 2857.4

1 1 1

𝑅 = (𝑅⁻¹ + 𝑅⁻¹ + 𝑅⁻¹)⁻¹ = ( + + )<sup>−1

𝑟𝑒 𝑝 𝑖 𝑛</sup> 2.8574 50000 50000

= 13330

𝑄<sub>𝑒

=</sub> ^𝑅𝑟𝑒

𝜌
0.5𝑓₀

13330

⁼ ₃₇₈ = 35.72

12037

^∆𝑓𝑔𝑟 ⁼

𝑄_𝑒

= 0.5 ∗

35.72

= 168.5

Endi f₁ f₂ …. f₇ larni topib olamiz
𝑓₁ = 𝑓₀ − 4∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 − 4 ∗ 168.5 = 11363𝐻𝑧

𝑓₂ = 𝑓₀ − 2∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 − 2 ∗ 168.5 = 11700𝐻𝑧

𝑓₃ = 𝑓₀ − ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 − 168.5 = 11868.5𝐻𝑧

𝑓₄ = 𝑓₀ = 12037𝐻𝑧

𝑓₅ = 𝑓₀ + ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 + 168.5 = 12205.5𝐻𝑧

𝑓₆ = 𝑓₀ + 2 ∗ ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 + 2 ∗ 168.5 = 12374𝐻𝑧

𝑓₇ = 𝑓₀ + 4 ∗ ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 + 4 ∗ 168.5 = 12711𝐻𝑧

Parallel tebranish konturining U_k va ф ning qiymatini hisoblash Ekvivalent rezonans nosozligi:

𝑓

ϵ_𝑒 = 𝑄_𝑒(

− ^𝑓0)

𝑓

𝑓₁ 𝑓₀ ^𝑓0

^{ϵ = 𝑄} ( ₋

11363 ₋ 12037_{) = −4.12}

) = 35.72 ∗ (

𝑒1

ϵ

𝑒 _𝑓0

𝑓₂

𝑓₁

𝑓₀

12037

11700

11363

12037

_𝑒2 = 𝑄_𝑒 ( _{𝑓 −}

) = 35.72 ∗ (

⁻ ₁₁₇₀₀) = −2.029

ϵ = 𝑄

0

₍ 𝑓₃

𝑓₂

𝑓
⁰) = 35.72 ∗ (

118²6⁰8³.⁷5

−

12037

) = −1.007

𝑒3 ^𝑒

𝑓

− _𝑓

12037 11868.5

_ϵ 0 𝑓₄³ _𝑓0

12037 12037

𝑒4

^{= 𝑄} (

𝑒

−

𝑓₀

) = 35.72 ∗ (

𝑓₄ ¹²⁰³⁷

− ) = 0 12037

ϵ ^𝑓5 𝑓₀ 12205.5 12037

_𝑒5 = 𝑄_𝑒 (_𝑓0

−

_𝑓5

) = 35.72 ∗ (
12037

−

12205.5

) = 0.993

ϵ = 𝑄

₍ 𝑓<sub>6


𝑓0</sub>) = 35.72 ∗ (12374 − 12037) = 1.973

𝑒6 𝑒 _𝑓0 ⁻ _𝑓

12037 12374

7
ϵ = 𝑄

₍ 𝑓₇



⁰) = 35.72 ∗ (¹²⁷¹¹ <sub>−

12037</sub>) = 3.895

_𝑓6
𝑒7

𝑒

_𝑓0 − _𝑓

₁₂₀₃₇ 12711

Parallel tebranish konturidagi tokni hisoblaymiz:

𝐼 =

𝐸

𝑅_𝑛

5

⁼ = 0.1𝑚𝐴 5000

Parallel tebranish konturidagi kuchlanish_𝐼n_𝑅i hisoblaymiz

⁽𝑤⁾ =

𝑟𝑒

𝑈_𝐾 = 𝐼 ∗ 𝑍_𝑒

√1 +∈²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾1 = = = 0.314𝑉

^{√1 + 𝜖2} √1 + (−4.12)²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾2 = = = 0.589𝑉

^{√1 + 𝜖2} √1 + (−2.029)²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾3 = = = 0.94𝑉

^{√1 + 𝜖2} √1 + (−1.007)²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾4 = = = 1.33𝑉

^{√1 + 𝜖2} √1 + ⁽0⁾²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾5 = = = 0.946𝑉

^{√1 + 𝜖2} √1 + (0.993)²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾6 = = = 0.602𝑉

^{√1 + 𝜖2} √1 + (1.973)²

𝐼𝑅_𝑟𝑒 0.1 ∗ 10⁻³ ∗ 13.33 ∗ 10³

𝑈_𝐾7 = = = 0.3315𝑉

√1 + 𝜖²

Fazani hisoblaymiz

√1 + (3.895)²

𝜑 = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔𝜖_𝑒𝑛

𝜑₁ = 𝑎𝑟⁽𝜖₁⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽−4.12⁾ = −76.36°

𝜑₂ = 𝑎𝑟⁽𝜖₂⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽−2.029⁾ = −63.76°

𝜑₃ = 𝑎𝑟⁽𝜖₃⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽−1.007⁾ = −45.2°

𝜑₄ = 𝑎𝑟⁽𝜖₄⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽0⁾ = 0°

𝜑₅ = 𝑎𝑟⁽𝜖₅⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽0.993⁾ = 44.8°

𝜑₆ = 𝑎𝑟⁽𝜖₆⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽1.973⁾ = 63.13°

𝜑₇ = 𝑎𝑟⁽𝜖₇⁾ = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔⁽3.895⁾ = 75.6°

No	Hisoblash natijalari					O'lchov natijalari
	f	f(kHz)	Uk, V	ф(grad)	Uk, V		ф(grad)
1	f0-4f	11363	0,314	-76,36	0,347		-82,3
2	f0-2f	11700	0,589	-63,76	0,732		-74,5
3	f0-f	11868,5	0,94	-45,2	1,471		-60,4
4	f0	12037	1,33	0	2,239		3,692
5	f0+f	12205,5	0,946	44,8	0,985		61,65
6	f0+2f	12374	0,602	63,13	0,586		74,59
7	f0+4f	12711	0,3315	75,6	0,322		81,98

2,5

2

1,5

1

0,5

Uk, V

0




11200 11400 11600 11800 12000 12200 12400 12600 12800

PTKdagi kuchlanishning chastotaga bog’liqligi

PTKdagi fazaning chastota bilan bog’lanishi

Xulosa:

LABORATORIYA №7

DIFFERENTSIALLOVCHI ELEKTR ZANJIRLARINI TADQIQ ETISH

Ishning maqsadi - kirish signalining ko’rinishlari turlicha bo’lgan passiv vaaktiv differentsiallovchi zanjirlarni nazariy va tajriba yo’llari bilan tekshirish.

1. Nazariy ma’lumotlar

Differentsiallovchi zanjir (DZ) deb shunday to’rtqutblikka (TQ) aytiladiki, ularning chiqishidagi kuchlanishning funktsiyasi kirish kuchlanishi hosilasiga teng

a - DZning umumiy belgilanishi; b - passiv RC-DZ va v - passiv RL-DZ.

7.1-rasm. Differentsiallovchi zanjirlar:

Amaliyotda passiv va aktiv DZlar mavjud. Oddiy ikki elementli RC- va RLzanjirlar (7.1, a va b-rasmlar) ma’lum shartlar bajarilishi bilan passiv DZlar deb qaralishi mumkin. Ushbu shartni qanoatlantiruvchi RC-zanjirlar (7.1,b-rasm) ancha keng qo’llanadi. Ular kirish qismi uchun Kirxgofning ikkinchi qonuni quyidagicha yoziladi

Shunda qarshilikdagi kuchlanishlar pasayuvi sig’im kuchlanishidan ancha kichik

uR<

Passiv RC-DZning kamchiligi shundaki, barcha talablarga javob beruvchi differentsiallash amalini bajarish uchun juda kichik vaqt doimiysi τ = RC bo’lishi talab etiladi, oqibatda, sig’im S ning miqdori juda kichik bo’lishiga, differentsiallanuvchi singalning katta kuchsizlanishiga va katta xatoligiga olib keladi.

Operatsion kuchaytirgichli (OK) aktiv DZ ancha kichik differentsiallash xatosiga ega (9.2,a-rasm).

LABORATORIYA № 8

Yarimo‘tkazgichli diod parametrlari va xarakteristikalarinitadqiq etish.

Ishning maqsadi: Yarimo‘tkazgichli diod (YaD) asosiy xarakteristikalari va parametrlarini hamda ularga tashqi muhit temperaturasining ta'sirini tadqiq etish.

1. 
   Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
   
   1. 
      YaD – n va p- turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikkita yarim
      

o‘tkazgichlar kontaktidan iborat bo‘lgan hamda bir tomonlama o‘tkazuvch anlikka ega bo‘lgan elektron asbob. YaD VAXsi 2.1-rasmda keltirilgan. Bu erda 1- nazariyxarakteristika, 2- real abob xarakteristikasi (bu xarakteristika YaDning yarim o‘tkazgich strukturasidagi hajmiy qarshilikni va tashqi kontaktlar qarshiligini, YaDdan tok oqib o‘tganda undan ajralib chiqayotgan qo‘shimcha issiqlikni va x.z.larni hisobga oladi). 1.2. Real

yarimo‘tkazgichli diod VAXsi 2.1- rasmda keltirilgan. Punktir chiziq bilan quyidagi tenglamaga mos keluvchi ideal VAX ko‘rsatilgan

Xarakteristikalar yarimo‘tkazgichli diod asosiy xossalarini namoyon etadi. Ochiqholatda yarim o‘tkazgichli dioddan ma'lum miqdorda to‘g‘ri tok oqib o‘tadi; bu

holat yarim o‘tkazgichli diodga to‘g‘ri kuchlanish berish natijasida ta'minlanadi:

Berk holatda yarim O‘tkazgichli dioddan juda kichik teskari tok ( ) oqib o‘tadi. Bu tokning qiymati germaniyli diodlarda 10-5 – 10-6A, kremniyli diodlarda esa 10-9 –10-12A tartibga ega. Yarimo‘tkazgichli diodning berk holati unga teskari

O‘lchash natijalarini jadvalga yozib oling va olingan

bog‘liqlik

grafiginichizing.
2.3. Yarimo‘tkazgichli diod VAXsining teskari

shohobchasini germaniyli diod uchun o‘lchang (2.1-

rasm).Tajriba bajarish uchun tavsiyalar:Yarimo‘tkazgichli diod teskari toki ( ) kuchlanishga kuchli bog‘liq bo‘lmaydi 2.1- rasm), shuninguchun VAXning teskari shohobchasini kuchlanishteskuqiymati 0 dan qiymatgacha oraliqda o‘lchash maqsadga muvofiq. Bu

kuchlanish qiymatlariga mos keluvchi tokni o‘lchash vaqtida, =0 dan = -1V oralig‘idagina tok kuchli ravishda o‘zgarishini inobatga olish kerak.

Berilgan ish yuzasidan na’munaviy misol

Yarimo‘tkazgichli diod VAXsining to‘g‘ri shohobchasi Ito‘g‘ri=f(Uto‘g‘ri) ni o‘lchash.

1- rasm. Yarimo‘tkazgichli diod VAXsining to‘g‘ri

shohobchasini (VAX)o‘lchash prinspial sxemasi

3 -rasm. Yarimo‘tkazgichli diod VAXsi asosida Uaппр ni hisoblash uchun qiymatlarni topib olish Approksimatsiya kuchlanishini hisoblash uchun Ito‘g‘ri=f(Uto‘g‘ri)bog‘liqlik grafigiga urunma o‘tkazish orqali tok Ito‘g‘ri va kuchlanish Uto‘g‘ri ning maksimum va minimum qiymatlari aniqlanadi (3-rasm). Urunmani eng ko‘p nuqtalarni birlashtiradigan sohasiga tushurish tavsiya etiladi.Grafik orqali aniqlangan maksimum va minimum qiymatlar asosida hisoblashlar amalga oshiriladi. 3-rasmga qaraydigan bo‘lsak, Ito‘g‘ri.max=8mA va Ito‘g‘ri.min=2mA ga teng va ushbu qiymatlaridan lnI2= lnIto‘g‘ri.max va lnI1= lnIto‘g‘ri.min qiymatlarini hosil qilamiz: lnI2=ln(8)=2,079; lnI1=ln(2)=0,693 ni hosil qilamiz. 3-rasmga qaraydigan bo‘lsak, Ito‘g‘ri.max=8mA va Ito‘g‘ri.min=2mA qiymatlariga mos ravishda jadvaldan Uto‘g‘ri.max=0,681V va Uto‘g‘ri.min=0,621V qiymatlarini olamiz va bunda U2=Uto‘g‘ri.max=0,681V ; U1= Uto‘g‘ri.min=0,621V ni hosil qilamiz.

Ushbu olingan qiymatlar asosida Uappr-

approksimatsiya kuchlanishinihisoblash uchun quydagi matematik formulalarni hisoblaymiz:

Xulosa:

Ushbu topshiriqda asosan men qaysiki reziztor ya’ni

qarshiliklarni o’rgandim qisqasi men bu darsdan avval bilar edim lekin bu bilimlarimni chuqurlashishigava albatta elemetar narsa ediki o’rganaganm va bu mashhulot davomida men yanada chuquroq bilimga eka bo’ldim.

Laboratoriya №9

Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarinitadqiq etish
Ishning maqsadi: Elektr teshilish rejimida diod tokini unga qo’yilgan teskari yo’nalishdagi kuchlanish bilan bog’liqligini tajriba usuli bilan aniqlash va bu bog’lanishni

approksimatsiyalovchi chiziqli funktsiya parametrlari qiymatlarini hisoblash.

Stabilitron VAXsi teskari shahobchasining Ust.min-Ust.max

kuchlanish qiymatlari oralig’i elektr	teshilishga	(odatda
ko’chkisimon) tegishli. Teshilish	rejimida	teskari

kuchlanishning juda oz miqdorda o’zgarishi teskari tokni

kuchli o’zgarishiga olib

keladi. Stabilitronning bu hususiyatidan sxemotexnikada kuchlanishni barqarorlashda kengqo’llaniladi.

2. 
   Kuchlanishni barqarorlash rejimida stabilitron VAXsi chiziqli funktsiya bilan approksimatsiyalanadi:
   

bu erda RD - parametri kuchlanishni barqarorlash rejimidagi diodning differentsial qarshiligini, UB - parametri esa, kuchlanishning bo’sag’aviy qiymatini ko’rsatadi.

2. 
   Keng ko’llaniladigan stabilitronlarning ba'zi elektr parametrlarining
   

ro’yxati:

δUst	- barqarorlash						kuchlanishi;
Ust	- barqarorlash kuchlanishning vaqt				bo’yicha		nostabilligi;
Uto’g’	- stabilitrondagi o’zgarmas				to’g’ri		kuchlanish;
Ist,min	- stabilitrondagi	ruxsat	etilgan	eng	kichik	o’zgarmas		tok;
Ist,max	- stabilitrondagi	ruxsat	etilgan	eng	katta	o’zgarmas		tok;

Ito’g’,maks - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng katta to’g’ri o’zgarmas tok; Rmaks - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng katta sochuvchi quvvat; rst - belgilangan o’zgarmas tok rejimida (I*s) aniqlangan differentsial qarshilik;

 st - barqarorlash kuchlanishining temperaturaviy koeffitsienti.

Stabilitronning quyidagi guruhlari mavjud: umumiy maqsad uchun qo’llaniladigan maxsus termokompensatsiyalangan pretsizionli (aniq kuchlanish qiymati talab qilinadigan sxemalar uchun); impulsli, ikki anodli, stabistorlar.

Laboratoriya №10 Optronni tadqiq etish

Ishning maqsadi: Optronlar ishlashini va parametrlarini

o’lchash uslublarinio’rganish.

Optronlar – funktsional elektronikaaning zamonaviy

yo’nalishlaridan biri – optoelektronikaning asosiy struktura elementi hisoblanadi. Eng

sodda diodli optron (8.1 – rasm) uchta elementdan tashkil topgan: fotonurlatgich 1, nur o’tkazgich 2 va foto qabul qilgich

3 bo’lib, yorug’lik nuri tushmaydigan germetik korpusga joylashtirilgan. Kirishga elektr signali berilsa fotonurlatgich qo’zg’otiladi. Yorug’lik nuri nur o’tkazgich orqali foto qabul qilgichga tushadi va unda chiqish elektr signali yuzaga keladi. Optronning asosiy xususiyati shundaki, undagi elementlar o’zaro nur orqali bog’langan bo’lib, kirish bilan chiqishlar esa elektr jihatdan bir – biridan ajratilgan. Shu xususiyatidan kelib chiqqan holda, yuqori kuchlanishli va past kuchlanishli zanjirlar bir – biri bilan oson muvofiqlashtiriladi. Diodli optronning shartli belgisi 8.2 – rasmda, uning konstruktsiyasi esa 8.3 – rasmda

keltirilgan.

1,2 – fotodiodning p va n sohalari; 3,4 – yorug’lik diodining n va p sohalari; 5

– selen shisha asosidagi nur o’tkazgich; 6,7 – yorug’lik diodi kontaktlari; 8,9 –fotodiod kontaktlari.

Yorug’lik signallarini elektr signaliga aylantirishda asosan fotodiodlarqo’llaniladi (xuddi shunday fotorezistorlar, fototranzistorlar va

fototiristorlar ham). Fotodiod oddiy n-p o’tish bo’lib, ko’p xollarda kremniy yoki germaniydan yasaladi. Undagi teskari tok yorug’lik nuri tushishi natijasida yuzaga kelayotgan zaryad tashuvchilar generatsiyasi tezligi bilan aniqlanadi. Bu hodisa ichki

fotoeffekt

debyuritiladi.

Fotodiodni qo’llash bo’yicha ikkita rejim mavjud: tashqi manbasiz – ventilli yoki fotovoltaik va tashqi manbali – fotodiodili rejim. Tashqi manbasiz yorug’lik nurini elektr energiyasiga aylantiruvchi fotodiodlar ventilli fotoelementlar deb ataladi. Foto elektr yurituvchi kuch UF ning yuzaga kelishi yorug’lik bilan generatsiyalangan elektron – kovak juftlarining n-p o’tish orqali ajratilishi bilan bog’liq. Foto EYuK UF kattaligi optik signal darajasi RF va yuklama qarshiligi qiymatiga bog’liq bo’ladi. Ventilli fotoelementning chiqish xarakteristikasi 8.4 – rasmda keltirilgan.

Fotodiod rejimidatashqi kuchlanish manbai hisobiga fototok IF ventilelementning qisqa

tutashuv tokiga taxminan teng bo’ladi, fototok hisobiga biroryuklama qarshiligida sodir bo’ladigan kuchlanish pasayishi UF esa katta bo’ladi. Birxil yuklama qarshiligi qiymatida signal kuchlanishi UF ning fotodiod (1) va ventil element (2) uchun optik nurlanish quvvati RF ga

bog’liqliklari 8.5 – rasmdakeltirilgan. Fotoelektr o’zgartishlar samaradorligi volt – vatt SU=UF/RF hamda amper – vatt SI=IF/RF (sezgirlik) bilan

ifodalanadi. Fotodiodlarning afzalligi yanashundaki,

yorug’lik xarakteristikalari IF, UF=f(RF) chiziqli ko’rinishga ega, bu esa ularni optik aloqa liniyalarida qo’llashimkoniyatini yaratadi. Ventil elementlar asosan

energiya o’zgartgichlar (quyoshbatareyalari)

sifatida ishlatiladi.Yorug’lik nuri orqali tokni boshqarishni bipolyar tranzistorlar yordamida ham amalga oshirish mumkin. Ularda baza tokining kuchayishi tufayli,fotodiodlarga

nisbatan sezgirlik yuqori bo’ladi. Fototranzistor bazasidagi zaryadtashuvchilarning optik generatsiyasi bazaga tashqi manbadan zaryad tashuvchilarkiritilishiga ekvivalentdir. Natijada, tranzistor fototoki fotodiodga nisbatan βmartaga kuchaytiriladi. Bu erda β -fotortranzistor baza tokining

statik kuchaytirish

koeffitsienti.

Optron inertsionligi yorug’lik diodi va nur qabul qilgichdagi jarayonlar bilanbog’liq bo’lib, yordamida

aniqlanadi (8.6 - rasm).Diodli optronning quyidagi asosiy

parametrlarini ko’rsatish mumkin: maksimal kirish toki - IKIR max;maksimal kirish kuchlanishi

Ukir max;maksimal chiqish teskari kuchlanish UCHIQ.tesk. max;berilgan tokka mos keluvchi o’zgarmas kirish kuchlanishi

UKIR; chiqishdagi teskari qorong’ulik toki ICHIKQtesk. Q;chiqish signalining ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlari (berilgandiodli optron chiqishidagi signal o’zining maksimal qiymatidan 0.1-0.9 va 0.9-0.1 oraliqlarda o’zgaradi) (8.6 - rasm);tok bo’yicha uzatish koeffitsienti KI – chiqish toki o’zgarishining kirish tokiganisbati KI

= (ICHIQ-ICHIQ.tesk.Q.)/IKIR.

Laboratoriyada o’lchanadigan diodli optron chegaraviy qiymatlari vachiqishlarining joylashishi ilovada

keltirilgan.