Laboratoriya №6 Parallel tebranish konturining tadqiqoti

LABORATORIYA №6

Parallel tebranish konturining tadqiqoti

Ishning maqsadi - parallel tebranish konturining chastotaviy tavsiflarini, manbaning ichki qarshiligi va yuklanish qarshiligining chastotaviy tavsiflarga ta’sirini NI Multisim dasturiy muhiti yordamida eksperimental tekshirish.

Topshiriqni bajarish uchun Qiymatlar

L=5mGn C=35nF R1=50kOm Rn=50kOm

R=R1=50kOm	L=5mGn	C=35nF	U=5V
	𝜌 = √𝐿/𝐶 = 378		𝑅𝑝 = 𝑄𝜌 = 2857.4
Ri=50kOm	Rn=50kOm	R1+reR=( -1R)- p1=13330 +R i n

Endi f₁ f₂ …. f₇ larni topib olamiz

𝑓₁ = 𝑓₀ − 4∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 − 4 ∗ 168.5 = 11363𝐻𝑧

𝑓₂ = 𝑓₀ − 2∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 − 2 ∗ 168.5 = 11700𝐻𝑧

𝑓₃ = 𝑓₀ − ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 − 168.5 = 11868.5𝐻𝑧 𝑓₄ = 𝑓₀ = 12037𝐻𝑧

𝑓₅ = 𝑓₀ + ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 + 168.5 = 12205.5𝐻𝑧

𝑓₆ = 𝑓₀ + 2 ∗ ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 + 2 ∗ 168.5 = 12374𝐻𝑧

𝑓₇ = 𝑓₀ + 4 ∗ ∆𝑓_𝑔𝑟 = 12037 + 4 ∗ 168.5 = 12711𝐻𝑧



Parallel tebranish konturining U_k va ф ning qiymatini hisoblash Ekvivalent rezonans nosozligi:



Parallel tebranish konturidagi tokni hisoblaymiz:

P arallel tebranish konturidagi kuchlanishni hisoblaymiz

Fazani hisoblaymiz

No		Hisoblash natijalari			O'lchov natijalari
	f	f(kHz)	Uk, V	ф(grad)	Uk, V	ф(grad)
1	f0-4f	11363	0,314	-76,36	0,347	-82,3
2	f0-2f	11700	0,589	-63,76	0,732	-74,5
3	f0-f	11868,5	0,94	-45,2	1,471	-60,4
4	f0	12037	1,33	0	2,239	3,692
5	f0+f	12205,5	0,946	44,8	0,985	61,65
6	f0+2f	12374	0,602	63,13	0,586	74,59
7	f0+4f	12711	0,3315	75,6	0,322	81,98

Uk, V

PTKdagi kuchlanishning chastotaga bog’liqligi








PTKdagi fazaning chastota bilan bog’lanishi

Xulosa:

Biz ushbu laboratoriya ishini bajarish davomida parallel tebranish konturining kuchlanishini va fazasini hisoblash yordamida va tajriba asosida hisoblashni o’rgandik. Grafiklardan kuzatadigan bo’lsak kuchlanish f₀ ga yaqinlashgan sari ortib, f₀dan o’tgandan so’ng kamayar ekan. Faza esa chastota ortgan sari chiziqli bo’lmagan ravishda ortib borar ekan.















































approksimatsiya kuchlanishini hisoblash uchun quydagi matematik formulalarni hisoblaymiz:






Xulosa:







1 .3.

δU_st - barqarorlash kuchlanishi;

U_st - barqarorlash kuchlanishning vaqt bo’yicha nostabilligi;

U_to’g’ - stabilitrondagi o’zgarmas to’g’ri kuchlanish; I_st,min - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng kichik o’zgarmas tok;



I_st,max - stabilitrondagi ruxsat etilgan eng katta o’zgarmas tok;



qo’llash imkoniyatini yaratadi. Ventil elementlar asosan

energiya o’zgartgichlar (quyosh batareyalari)

sifatida ishlatiladi. Yorug’lik nuri

orqali tokni boshqarishni bipolyar tranzistorlar

yordamida ham amalga oshirish mumkin. Ularda baza tokining kuchayishi tufayli, fotodiodlarga nisbatan sezgirlik yuqori bo’ladi. Fototranzistor bazasidagi zaryad tashuvchilarning optik generatsiyasi bazaga tashqi manbadan zaryad tashuvchilar kiritilishiga ekvivalentdir.

Natijada, tranzistor fototoki fotodiodga nisbatan β martaga kuchaytiriladi. Bu erda β -fotortranzistor baza tokining statik kuchaytirish

koeffitsienti.