P-n o‘tish hodisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim o‘tkazgichli asbob yarim o‘tkazgichli diod

YARIM O‘TKAZGICHLAR.

Reja:


1. Yarim o‘tkazgichli diod haqida tushuncha.
2. Yarim o‘tkazgichli triod, bipolyar tranzistorlar.
3. Unipolyar tranzistorlar.
4. Tiristorlar.


p-n o‘tish hodisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim o‘tkazgichli asbob yarim o‘tkazgichli diod deb ataladi. Shunga ko‘ra р-n o‘tishning volt-amper xarakteristikasi yarim o‘tkazgichli diodning volt-amper xarakteristikasidir. Uning shakli ko‘p faktorlarga bog‘liqdir. Masalan, tashqi temperaturaga kontakt sohasining geometrik o‘lchamlariga, tok tashuvchilar miqdoriga teskari kuchlanish kattaligiga va h.k.
Amaliy jihatdan bu faktorlarinning teskari tokka bo‘lgan ta‘siri katta ahamiyatga ega. Masalan muhit haroratining ko‘tarilishi yoki teskari kuchlanishi biror qiymatgacha oshirilishi teskari tokning birdan ko‘payib ketishiga, natijada p-n o‘tishning buzilishiga,sabab bo‘ladi. Shulardan issiqlik va elektr buzilishini ko‘raylik 1-rasmda yarim o‘tkazgichli diodning sxemada belgilanishi va to‘lqin volt-amper xarakteristikasi ko‘rsatilgan. Unda 1-chiziq issiqlik bo‘lishi, 2-chiziq esa, elektr buzilishini ko‘rsatadi.
Kontakt sohasining kengligiga qarab yarim o‘tkazgichli diodlar nuqtaviy va yassi diodlarga ajratiladi.
a) b)
1-rasm. a) yarim o‘tkazgichli diodning sxemada belgilanishi; b) Volt-amper xarakteristikasi

Diodga qo‘yilgan kuchlanish o‘zgarishi р-n o‘tishning kengligini o‘zgartiradi. Bu o‘zgarish kondensator qoplamlari orasidagi masofaning o‘zgarishiga mos keladi. p-n o‘tishning bu xususiyati diodni boshqaruvchi sig‘imli element qilib ishlatish imkonini beradi. Bunday diodlar varikanlyar deb ataladi.

Yarim o‘tkazgichli triod. Bipolyar tranzistorlar.

Yarim o‘tkazgichli triod elektron asboblarining bir turi bo‘lib, tranzistor deb ataladi. Tuzilishi va ishlash usuliga qarab tranzistorlar bipolyar va unipolyar tranzistorlarga ajratiladi.

Bipolyar tranzistorlarning ishlashi р-n o‘tish hodisasiga, unipolyar tranzistorning ishlashi esa, bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishiga asoslangan.
Bipolyar tranzistor yarim o‘tkazgich monokristalda ikkita р-n o‘tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Uni o‘tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Agar monokristallning hajmi bilan chegaralangan bo‘lsa, hosil bo‘lgan yassi tranzistor р-n-р turdagi tranzistor deyiladi. Aksincha, kovak o‘tkazuvchanlik soha orasida bo‘lsa n-p-n turdagi tranzistor hosil bo‘ladi. Bu tranzistorlarning sxemada belgilanishi va potensial to‘sig‘ining ko‘rinishi 2-rasmda ko‘rsatilgan.

2-rasm


Unipolyar tranzistorlar

Unipolyar tranzistor elektr maydoniga ega bo‘lgan tranzistor bo‘lib, tok bir turdagi asosiy tok tashuvchi hisobiga hosil qilinadi.

Elektr maydoniga ega bo‘lgan yoki “maydon”li so‘zning mohiyati shundan iboratki, unipolyar tranzistor chiqish toki boshqaruvchi elektrodning kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon orqali boshqarilishini bildiradi. Unipolyar tranzistorlarning sxemada belgilanishi 1- jadvalda keltirilgan.

Tranzistorning turi	p-turli	n-turli
Boshqaruvchi p-n o‘tish
MDP turli transistor kanali induksiyalanadigan
Kanali hosil qilingan

-Tiristorlar to‘rt qatlamli, ya‘ni uchta р-n o‘tishli yarim o‘tkazgich asbobdir.
Chetki p-qatlam anod n-qatlam – katod deb ataladi. Ichki р va n-qatlamlar boshqaruvchi elektrodlar yoki ba‘za deyiladi.



3-rasm. Tristorning tuzilishi

Savollar:

1. 
   Yarim o‘tkazgichli diodning tushuntiring.
   
2. 
   Yarim o‘tkazgichli diodning volt-amper xarakteristikasini tushuntiring.
   
3. 
   Tranzistorlar haqida tushuncha berинг.
   
4. 
   Bipolyar tranzistor nimа?
   
5. 
   Unipolyar tranzistor niма?
   
6. 
   Tiristorlar nima?
   

Adabiyotlar:

1. 
   Ma’ruzalar matni.
   
2. 
   Nigmatov K. Radioelektronika asoslari. T., 1994.
   
3. 
   Qo‘yliyev B.T. Tabiatning fizik xossalari bitmas-tuganmasdir. Qarshi, 2005.
   
4. 
   Гершунский Б.С. Основи электроники и микроэлектроники. М., 1990.
   
5. 
   Манаев Э.И. Основи радиоэлектроники. М., 1989.
   
6. 
   Молчанов А.П., Занадворов П.Н. Курс электроники и радиотехники. М., Наука, 1976.
   
7. 
   Степаненко И.П. Основи теории транзисторов и транзисторних схем. М., Энергия, 1977.
   

Qо‘shimcha adabiyotlar:

1. 
   Жеребсов И.П. Основи электроники. М. Энергоатомиздат 1989 г.
   

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М Электроника. М.1991 г.