O‘zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmasi Reja Muvofiqlashtiruvchi kaskadlar

ДКнинг уланиш турлари

• Амалда ДКнинг тўрт хил уланишидан фойдаланилади:
• - симмтерик кириш ва чиқиш;
• - симметрик кириш ва носимметрик чиқиш;
• - носимметрик кириш ва симметрик чиқиш;
• - носимметрик кириш ва чиқиш.

Носимметрик кириш ва чиқишли ДК

• Бунда фойдаланилмайдиган кириш кучланиши ўзгармас сатҳли қилиб олинади, масалан, умумий шинага уланади.
• Агар кириш сигнали UКИР1 га берилса, чиқишда инверсланмаган сигнал олинади.
• Демак, UКИР1 инверсламайдиган кириш, UКИР2 эса – инверлайдиган кириш бўлади.

• ДК кучайтириш коэффициенти коллектор занжиридаги RК юклама қаршилигига боғлиқ бўлади. Интеграл технологияда RК қийматининг ортиши билан, кристаллда у эгаллаган юза ортади ва транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади. Шунинг учун ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, RК резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси кейинги слайдда келтирилган. Иккинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.

Динамик юкламали ДК схемаси

• β нинг қиймати транзистор сокинлик токи IБ0 га боғлиқ бўлганлиги сабабли кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак.
• Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади. Кўпроқ Дарлингтон схемаси ишлатилади.
• Таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортади.

Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси

• Эътиборингиз учун рахмат

• Эътиборингиз учун рахмат