O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti farg’ona filiali

---

O`ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT 
TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI 
RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI 
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI 
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI 
UNIVERSITETI FARG’ONA FILIALI 
“Kompyuter Injiniringi” fakulteti 
“Elektronika va sxemalar” fanidan 
MUSTAQIL ISH 
Mavzu:
MDYA-tranzistorlarda bajarilgan IMS turlari va parametrlari 
Bajardi: 
Inomov Javlonbek
Qabul qildi: 
 Jo’rayeva G 
Farg’ona – 2022 

---

Reja:
1.Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari.
2.Planar epitaksial texnologiya.
3.MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar. 
4.Raqamli sxemalarning tasniflanishi.

---

Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari
Bugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmo
qda. Bunday mikrosxemalarga 
integral mikrosxemalar (IMS) 
deyiladi. Birinchi IMS
lar 1958 yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kich
ik, ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji
G. Mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlar
dagi elementlar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106 
÷109ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) va giga yuqori (GYUIS) IMSlar ishlab chiqar
ilmoqda. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud:
konstruktiv va texnologik. 

Konstruktiv belgisi 
IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan
birlashtirilgan va yagona qobiqqa joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi.