O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

Bugungi kunda Intel korporatsiyasi tomonidan ishlab chiqarilayotgan tranzistorlarda zatvor osti dielektrigining qalinligi () 1,2 nm ni yoki besh atom qatlamni tashkil etmoqda. 2007-yildan buyon 45 rnnli ishlab chiqarish texnologiyasiga o‘tildi. Bu texnologiyada kichik sizilish tokli tranzistorlar zatvorlarini hosil qilishda dielektrik sifatida yuqori dielektrik singdiruvchanlikka ega bo‘lgan gafhiy tuzlari asosidagi high —k material ishlatilmoqda. Natijada, qalinroq dielektrik ishlatish va sizilish tokini o‘n martadan ko‘proq kamaytirish imkoni tug'ildi.

• Bugungi kunda Intel korporatsiyasi tomonidan ishlab chiqarilayotgan tranzistorlarda zatvor osti dielektrigining qalinligi () 1,2 nm ni yoki besh atom qatlamni tashkil etmoqda. 2007-yildan buyon 45 rnnli ishlab chiqarish texnologiyasiga o‘tildi. Bu texnologiyada kichik sizilish tokli tranzistorlar zatvorlarini hosil qilishda dielektrik sifatida yuqori dielektrik singdiruvchanlikka ega bo‘lgan gafhiy tuzlari asosidagi high —k material ishlatilmoqda. Natijada, qalinroq dielektrik ishlatish va sizilish tokini o‘n martadan ko‘proq kamaytirish imkoni tug'ildi.