O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagitoshkent axborot texnologiyalari universiteti

REJA:


1. 2N2369A tranzistorning parametrlarini xisoblash.
2. UE ulanishga ega kuchaytirgich kaskadini elementlarini parametrlarni xisoblash.

3. Kuchaytirgich kaskadini parametrlarini aniqlash.

Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasi bo’yicha yig’ilgan 2N2369A bipolyar transistorning kuchaytirgich kaskadlarini texnik parametrlarini xisoblash va o’lchash amaliy ko’nikmalarini mustahkamlash
Variant № 31
Variant bo’yicha dastlabki ma’lumotlar:

Variant	Tranzistor turi	Baza sokin toki Ibp, mkА	Manba kuchlanishi Еk, V	Kollektor qarshiligi Rk, Оm	Kuchaytirgichning quyi chegaraviy chastotasi fН, Gts
18	2N2369A	50	15	1400	300

1. 2N2369A tranzistorning parametrlarini xisoblash.
1.1. UE sxemasi asosida 2N2369A tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikasi
UE sxemasi asosida 2N2369A tranzistorning kirish xarakteristikasi ya’ni U_KE=0 va U_KE=10 V bo’lganda l_B = f(U_BE) bog’liiqlik oilasi grafigini tuzish.