O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikasiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali

Nazorat savollari
1. Optoelektron asbob nima va ular qayerlarda ishlatilishini tushuntiring.
2. Fotodiod ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.
3. Yorug‘lik diodi ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.
4. Tranzistorli optronni ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.
5. Diodli optronda signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqtini hisoblab toppish formulasini yozing.


Laboratoriya ishi №11
Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
11.1. Laboratoriya ishini bajarish oldidan uing pasport ko‘rsatmalarini yozib oling.
11.2. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchashda 11.1-rasmda keltirilgan prinsipal sxemani yig‘ing, sxemani o‘lchashda qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan tanishib chiqing.

R1=10÷56kΩ, R2=1kΩ, VT-MP37B
11.1-rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi

11.2-rasm. Yarimo‘tkazgichli stabilitronni VAX
o‘lchash sxemasining ULS bajarilish tartibi

11.1 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi

Uke =0V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)
Uke >0V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)

11.2 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi

IB= 25 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA
IB=150 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA
IB=200 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA

11.3. 11.1 va 11.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KE=const bo‘lganda, I_B=f(U_BE)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_B=const bo‘lganda, I_K=f(U_KE)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va va

h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan):
, _{bo‘lganda bo‘lganda} , bo‘lganda , bo‘lganda
Nazorat savollari:
1. BT UE ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.
2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi?
4. UE sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to‘yinish sohalarini ko‘rsating.
5. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.
6. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?
7. Nima uchun UE sxemada ishlayotgan BT baza elektrodidagi kuchlanishni uning kollektoridagi kuchlanishdan avval uzish mumkin emas?
Laboratoriya ishi №12
Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
12.1. Laboratoriya ishini bajarish oldidan uing pasport ko‘rsatmalarini yozib oling.
12.2. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchashda 12.1-rasmda keltirilgan prinsipal sxemani yig‘ing, sxemani o‘lchashda qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan tanishib chiqing.

Re=500÷1000 Ω, Rk=1000 Ω, VT-MP37B
12.1-rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi
12.1 – jadval. UB ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun

UKB= 0V	IE (mA)	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-12	-14
	UEB (V)
UKB >0 V	IE (mA)	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-12	-14
	UEB (V)

12.2 – jadval. UB ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun

IE = - 4 mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	3,5	4	4,5	-	-	-	-	-	-	-
	UKB (V)
IE = - 8mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	12	14	16
	UKB (V)
IE = - 12mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	12	14	16
	UKB (V)

12.3. 12.1 va 12.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KB=const bo‘lganda, I_E=f(U_EB)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_E=const bo‘lganda, I_K=f(U_KB)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va
h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11B va h_12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21B va h_22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan):
, _{bo‘lganda bo‘lganda}
, bo‘lganda , bo‘lganda

Nazorat savollari

1. BT UB ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.
2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
3. Baza toki tashkil etuvchilari nomin i ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
4. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi ?
5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to‘yinish sohalarini ko‘rsating.
6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.
7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?