|
МУНДАРИЖА
|
|
|
КИРИШ……………………………………………………………
|
|
I БОБ.
|
А3В5 ВА А2В6 ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАР АСОСИДАГИ КЎП ТАРКИБЛИ ЭПИТАКСИАЛ ПЛЁНКАЛАРНИ ОЛИШ ТЭХНОЛОГИЯСИ, ТУЗИЛИШИ ВА ХОССАЛАРИ.................
|
|
1.1
|
А3В5 ва А2В6 яримўтказгичлар асосидаги кўп таркибли эпитаксиал қатламларнинг узликсиз қаттиқ қоришмаларини ҳосил қилишнинг физикавий асослари…………………………….
|
|
1.2
|
Кўпкомпонентли эпитаксиал юпқа узлуксиз қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг тузилмавий хусусиятлари………………
|
|
1.3
|
А3B5 ва А2B6 яримўтказгичлари асосида эпитаксиал қатламлар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари............……………………………………………………
|
|
1.4
|
Кўп компонентали гетеротузилмаларнинг ривожланиш истиқболлари, ҳамда фан ва ишлаб чиқаришда қўлланилиши........
|
|
|