O’quv materiallari ma’ruzalar matni mavzu-1: Kirish. Kursning vazifasi. Quyosh elementlarining xalq xo’jaligida qo’llanilishi. Quyosh nurlanishi. Reja

Dars o`tish vositalari: audatoriya doskasi, plakatlar, darsliklar, o`quv va uslubiy qo`llanmalar, kompyuter vositasi.

Dars o`tish usullari: takrorlash, suhbat, savol-javob, erkin fikrlash, tarqatma materiallar.

Darsning mazmuni: Yangi turdagi fotoelementlarga MDP yoki MOP struktura asosida yaratilgan quyosh elementlari kiradi. Diffuziya yo’li bilan p-n o’tish hosil qilib, ular asosida fotoelement yaratishda albatta berilgan materialning xossalariga qarab, temperatura va diffuziya vaqti tanlab olinadi. Temperatura va diffuziya vaqti shunday tanlab olinishi kerakki, natijada kirgan kirishma atomlarining miqdori va kirish chuqurligi olingan materialdagidan ancha katta bo’lishi bilan birga p-n o’tish chuqurligi 0,5 – 1 mkm atrofida bo’lishi kerak. Diffuziya jarayoni quyidagi qiyinchiliklarga olib keladi: 1. Diffuziya qilinayotgan pechdan keraksiz krishma atomlari diffuziya qilinishi mumkin (m: mis, temir, nikel va h.k).

2. Diffuziya paytida kristall hajmida termik nuqsonlar hosil bo’lishi mumkin.

3 . Diffuziya jarayoni juda katta energiya talab qiladigan qimmat jarayondir. Mana shu 1, 2, 3 lar yig’ilib, birinchidan fotoelementlarning asosiy o’lchovlarini yomonlashtiradi. Ikkinchidan, paydo bo’lgan termo nuqsonlar yoki kirishma atomlari qo’shimcha rekombinasion markaz rolini o’ynagani uchun tok tashuvchilar yashash vaqtini kamaytiradi. Shottki to’sig’i asosida olinadigan fotoelementlarda asosiy ikkita shartga e’tibor berish kerak. Birinchidan, shunday metall tanlab olish kerakki, uning yarimo’tkazgich bilan hosil qilgan kontakt potensiallar farqi yetarlicha katta bo’lishi kerak. Va olingan metallning qalinligi shunday bo’lishi kerakki, u tushayotgan quyosh nurlarini to’la o’tkazsin. Shu bilan birga kam qarshilik hosil qiladigan kontakt paydo bo’lsin. Ikkinchidan, yarim o’tkazgich va metall o’rtasida optimal qalinlikka ega bo’lgan SiO₂ yupqa qatlamini hosil qilish kerak. Metall bilan yarim o’tkazgich o’rtasida olingan SiO₂ qatlam taxminan atrofida bo’lishi kerak. Ana shundagina bu qatlam elektronlar uchun shaffof bo’ladi. Qo’shimcha ma’lum qalinlikdagi hajmiy zaryad qatlami hosil qilgani uchun kontakt potensiallar farqini oshiradi. MDP yoki MOP hosil qilingan fotoelementlarda yoritilish asosan metall tomonidan bo’lib, yarimo’tkazgichning metallga yaqin qismida elektron-kovaklar fotogenerasiyasi vujudga keladi va ular kontaktdagi maydon hisobiga ajraladi. Bu o’z navbatida foto EYuK ni hosil qiladi.