Optronik texnologiyaning fizik asoslari Optokupllarning elementar bazasi va qurilmasi

P f \u003d N f * E f (2.2) va (2.1) dan ko'rinib turibdiki, berilgan N f uchun u kattaroq bo'lsa, nurlanish to'lqin uzunligi qisqaroq bo'ladi. Amalda berilgan P f (fotodetektorning energiya ta'siri) bo'lgani uchun, quyidagi bog'liqlik foydali ko'rinadi

N f \u003d P f / E f \u003d 5 * 10 15 l P f (2.3)

bu erda N f, sm -2 s -1; l, mikron; P f, mVt / sm.

Shakl 2. To'g'ridan-to'g'ri bo'shliqli yarimo'tkazgichning energiya diagrammasi (misol sifatida GaAsP ternar birikmasidan foydalangan holda)

LEDda in'ektsiya lyuminestsentsiyasi mexanizmi uchta asosiy jarayondan iborat: yarimo'tkazgichlarda radiatsion (va nursiz) rekombinatsiya, ortiqcha ozchilik zaryad tashuvchilarini LED poydevoriga quyish va avlod mintaqasidan radiatsiya chiqarish.

Yarimo'tkazgichda zaryad tashuvchilarning rekombinatsiyasi, birinchi navbatda, tarmoqli diagrammasi, aralashmalar va nuqsonlarning mavjudligi va tabiati va muvozanat holatining buzilish darajasi bilan belgilanadi. Optokupllarning asosiy materiallari (GaAs va unga asoslangan GaA1As va GaAsP) to'g'ridan-to'g'ri yarim o'tkazgichlar, ya'ni. to'g'ridan-to'g'ri optik zonadan zonaga zonaga o'tishga ruxsat berilganlarga (2-rasm). Ushbu sxema bo'yicha zaryad tashuvchini rekombinatsiya qilishning har bir harakati kvant nurlanishi bilan birga keladi, to'lqin uzunligi energiya tejash qonuniga muvofiq quyidagi nisbat bilan belgilanadi: