|
ADABIYOTLAR
A.V. Saenko, A.V. Kovalev, V.V. Bespoludin, A.A. Prilipko Issledovanie morfologii poverxnosti i elektroprovodnosti plenok kremniya posle lazernogo otjiga. // Injenernыy vestnik Dona, №1 (2016). ivdon.ru/ru/magazine/archive/n1y2016/3516
Y.F. Tang, S.R.P. Silva, M.J. Rose. Super sequential lateral growth of Nd:YAG laser crystallized hydrogenated amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. pp. 186-188.
R. Dassow, J.R. Kohler, M. Grauvogl, R.B. Bergmann, J.H. Werner. Lasercrystallized polycrystalline silicon on glass for photovoltaic applications // Solid State Phen. 1999. Vol. 67-68. pp. 193-198.
Ye.Yu. Volkov, V.N. Lisochenko, R.V. Konakova, O.B. Oxrimenko, A.M. Svetlichnыy. Vliyanie lazernoy obrabotki na svoystva plenok amorfnogo kremniya // Izvestiya vыsshix uchebnыx zavedeniy. Fizika. 2011. № 1/2. S. 143- 146.
Duan Chunyan, Liu Chao, Ai Bin, Lai Jianjun, Deng Youjun, Shen Hui. Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon thin films by a pulsed Nd:YAG laser with 355 nm wavelength // Journal of Semiconductors. 2011. Vol. 32. № 12. pp. 123-128.
Ferreira I., Carvalho J., Martins R. Undoped and doped crystalline silicon films obtained by Nd:YAG laser // Thin Solid Films. 1998. Vol. 317. Issues 1-2. pp. 140-143.
Malyukov S.P., Kulikova I.V., Kalashnikov G.V. Modelirovanie protsessa lazernogo otjiga strukturы «kremniy-steklovidnыy dielektrik»
// Izvestiya YuFU. Texnicheskie nauki. 2011. №7. S.182-188.
Malyukov S.P., Sayenko A.V. Laser sintering of a porous TiO2 film in dyesensitized solar cells // Journal of Russian Laser Research. Vol. 36. Issue 3. 2013. pp. 276-280.
Malyukov S.P., Yu.V. Klunnikova, A.V. Sayenko. Laser Annealing of Oxide Films on the Sapphire Surface // Journal of Russian Laser Research. Vol. 36. Issue 3. 2015. pp. 276-280.
Kulikova I.V. Razrabotka modeli dlya rascheta napryajenno- deformirovannыx sostoyaniy v poluprovodnikovыx strukturax pri lazernom vozdeystvii // Injenernыy vestnik Dona. 2014. № 2. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n2y2014/2378.
Kulikova I.V., Malyukov S.P., Kalashnikov G.V., Pristupchik N.K. Issledovanie vliyaniya rejimov rabot Nd:YAG lazera na napryajenno – deformirovannыe sostoyaniya v obrabatvaemoy poluprovodnikovoy strukture // Injenernыy vestnik Dona. 2013. № 4. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n4y2013/2000.
Ashikkalieva K.X., Kanыgina O.N., Vasilchenko A.S. Modifikatsii poverxnosti monokristallicheskogo kremniya pri izotermicheskom i lazernom otjigax. // VESTNIK OGU №9 (145)/sentyabr`2012. S.96-100.
Svetuxin, V.V. Modelirovanie sovremennыx perspektivnыx kremnievыx texnologiy, osnovannыx na upravlenii protsessami klasterizatsii i presipitatsii kisloroda v kremnii. – Ulyanovsk: UlGU, 2006. – 108 s.
Gorelik S.S., Dashevskiy M.Ya. Materialovedenie poluprovodnikov i dielektrikov. – Moskva: Metallurgiya, 1988. – 574 s.
Grigoryans, A.G. Texnologicheskie protsessы lazernoy obrabotki. – Moskva: MGTU imeni im. N.E. Baumana, 2006. – 664 s.
Banishev A.F., Balыkina Ye.A. Razrushenie poverxnosti kremniya i medi pri impulsnom i impulsno_periodicheskom vozdeystvii Nd:YAG lazera // Kvantovaya elektronika. – 1997. – T. 24, №6. – S. 557–559.
S. V. Filaretov, Ye. A. Kashtanova,E. G. Zubkov, A. A. Polyakov Mexanizm obrazovaniya defektov v monokristallax kremniya pri vozdeystvii lazernogo izlucheniya. // Izvestiya vыsshix uchebnыx zavedeniy. Povoljskiy region. № 3 (27), 2013 Fiziko-matematicheskie nauki. Fizika. S.212-221.
Orlov, A. N. Vvedenie v teoriyu defektov v kristallax / A.N.Orlov. –M.: Vыsshaya shkola, 1983. – 144 s.
Sangval, K. Travlenie kristallov / K. Sangval. – M. : Mir, 1990. –
471 s.
Banishev, A. F. Generatsiya i nakoplenie dislokatsiy na
poverxnosti kremniya pri vozdeystvii impulsno-periodicheskogo izlucheniya YAG:Nd lazera / A. F. Banishev, V. S. Golubev, A. Yu. Kremnev // Jurnal texnicheskoy fiziki. – 2001. – T. 71, № 8. – S. 33–38.
Vinsens, S. V. O porogax vozniknoveniya neuprugix deformatsiy v poverxnostnыx sloyax Si i GaAs pri mnogokratnom impulsnom lazernom obluchenii. S. V. Vinsens, A. V. Zoteev, G. S. Plotnikov // Fizika i texnika poluprovodnikov. – 2002. – T. 36, № 8. – S. 902–906.
Gottshtayn, G. Fiziko-ximicheskie osnovы materialovedeniya. / G. Gottshtayn. –M. : Binom. Laboratoriya znaniy, 2011. – 400 c.
Kikoin, I. K. Tablisы fizicheskix velichin. Spravochnik. / I. K. Kikoin. – M. : Atomizdat, 1976. – 1008 s.
Banishev, A. F. Razrusheniya poverxnosti kremniya v tverdoy faze pri vozdeystvii impulsov YAG:Nd lazera / A. F. Banishev, V. S. Golubev, A. Yu. Kremnev //Kvantovaya elektronika. – 1998. – T. 25, № 10. – S. 941–944.
http://vmede.org/sait/?id=Gigiena_truda_izmerov_2010&menu=Gigiena truda_izmerov_2010&page=11
http://wiki.laser.ru/index.php/
http://laser-technologies.ru/
http://www.informdom.com/metalloobrabotka/2015/2/tehnologicheskie- lazery-vchera-segodnya-i-zavtra.html
Shevchenko, S. A. Vliyanie otjiga na dislokatsionnuyu elektroprovodnost germaniya // Fizika i texnika poluprovodnikov. – 2000.
– T. 34, № 5. – S. 543–549.
Bu nkin, F. V. Termoximicheskoe deystvie lazernogo izlucheniya: fundamentalnыe problemы, kinetika, texnologiya / F. V. Bunkin, N. A. Kirchenko, B. S. Luk’yanchuk // Izvestiya AN SSSR. Ser. Fizicheskaya. – 1987. – T. 51, № 6. S. 116
Yoshida T, Yamada Y, Orii T: Electroluminescence of silicon nanocrystallites prepared by pulsed laser ablation in reduced pressure inert gas. J Appl Phys 1998, 83:5427–5432
Medvid A, Dmitruk I, Onufrijevs P, Pundyk I: Properties of nanostructure formed on SiO2/Si interface by laser radiation. Solid State Phenom 2008, 131–133:559–562
Halbwax M, Sarnet T, Delaporte P, Sentis M, Etienne H, Torregrosa F, Vervisch V, Perichaud I, Martinuzzi S: Micro and nano-structuration of silicon by femtosecond laser: application to silicon photovoltaic cells fabrication. Thin Sol Film 2008, 516:6791–6795.
Liu S, Zhu J, Liu Y, Zhao L: Laser induced plasma in the formation of surface-microstructured silicon. Mater Lett 2008, 62:3881.
Do'stlaringiz bilan baham: |
