Образования республики узбекистан

Типы полевых транзисторов.

Существует три типа ПТ, которые различаются по структуре и способу управления проницаемостью площади канала.
1. Изолированные ПТ
2. Барьер Шоттки ПТ.
3. ПТ, управляемые переходом p — n

3. 
   Затвори изолированные ПТ
   

В таких ПТ имеется тонкий диэлектрический слой между металлической сердцевиной и каналом. Такой ПТ также называют МДП-транзистором из-за его структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Различают канальный и канально-индуцированный типы: в транзисторах первого типа поле канала создается технологическим способом, а во втором - поле канала формируется (индуцируется) при приложении к затвору определенной полярности и величины напряжения. Поперечное электрическое поле проходит через тонкий диэлектрик и контролирует концентрацию носителей заряда в канале.


Барьер Шоттки ПТ
В таких ПТ в качестве барьера используется прямой контакт полупроводника с металлом. В рабочем режиме выпрямительный контакт запитан в обратном направлении. Он регулирует ширину канала с током, количество носителей заряда в канале и величину тока, протекающего через него, изменяя толщину малоконтактной области полупроводника, находящегося в контакте.
ПТ, управляемые переходом p-n
В таких МП в качестве барьера используется полупроводник с проводимостью, обратной проводимости канала. В результате между ними образуется p ~ n переход, а в рабочем режиме этот p-n переход перевёрнут. В этом случае напряжение на затворе изменяет ширину малоконтактной области управления p ~ n, а значит, и поперечное сечение площади токоведущего канала, количество зарядов в нем и, как следствие, значение тока в канале. Поскольку изменение ширины p-n-перехода, высота барьера Шоттки и основные характеристики двух транзисторов одинаковы, мы теперь изучим МП, которые используют только p-n-переход в качестве затвора.
В электрических схемах основание МП служит входным электродом и изолировано от канала p-n переходом или диэлектриком, включенным в обратном направлении. Поэтому ИП, в отличие от БТ, имеют большое входное сопротивление (10⁸ -10¹⁰Ом) при постоянном токе. Транзисторы МДП являются ключевым элементом интегральных схем, особенно OCD. Они используются в микропроцессорах, микроконтроллерах, устройствах памяти большой емкости, электронных часах, медицинской электронике и многом другом. В схемах пересоединения широко используются высокомощные MDY-транзисторы. Транзисторы из арсенида галлия, управляющий электрод которого состоит из перехода металл-полупроводник, используются для создания быстродействующих цифровых устройств IMS и 0'YCH. МП на основе кремния p-n-перехода используются в качестве низкочастотных дискретных электронных устройств.

1.