Норавшан ва стохастик ахборот муҳитларида маълумотларни излаш ва қайта ишлаш усуллари, моделлари

9

• Sanoatida va texnikada eng ko`p qo`llanilayotgan yarim o`tkazgich moddalar:
• Kremniy (Si);
• Germaniy (Ge);
• Galiy Fosfidi (GaP);
• Galiy Arsenidi (GaAs);
• Indiy Fosfodi (InP);
• Indiy Arsenidi (InAs);
• Indiy Antimonidi (InSb);

• 10

• Boshqaruvchi p-n o`tishli (yoki yopiq p-n o`tishli) tranzistor eng sodda unipolyar tranzistor hisoblanadi. Oqim boshlanishi – istok deb, oqim quyilishi - stok deb ataladi.O`rtadagi boshqaruvchi elektrod – zatvor deyiladi.

• Istok bilan stok oralig`idagi qatlam kanal deb yuritiladi. Uning o`tkazuvchanligi n yoki p turda bo`lishi mumkin. Agar asos yarimo`tkazgich n turli o`tkazuvchanlikka ega bo`lsa, zatvor qatlam p-turli yarim o`tkazgich bo`ladi. Aksincha u p-turli bo`lsa, zatvor n-turli o`tkazuvchanlikli yarim o`tkazgich materialida qilinadi.

• 11

• Maydon tranzistorlarining ulanish sxemalari

• Umumiy istok (UI) {a-rasm}
• Umumiy stok (US) {b-rasm}
• Umumiy zatvor (UZ) {d-rasm}

• 12

• Tadqiqotlar shuni ko`rsatadiki, quyidagi rasmda ko`rsatilgandek, bosim ta’sirida manbadan zatvorga keladigan kuchlanish chiziqli ravishda kamayadi.
• Bosimning 0.027 g/sm2 dan 0.26 g/sm2 gacha ko`tarilishi Uzat-ist kuchlanishining 1.2 V dan 0.86 V gacha pasayishiga olib keladi.

• 13

• Optik signal qabul qilish tizimlari minimal buzilish va kam shovqinli kuchaytirgichlarni talab qiladi. Ushbu talablar maydon transistor kuchaytirgichlar tomonidan qondiriladi maydon tranzistorining afzalligi shundaki, uning yuqori kirish empedansi pas shovqinli qavatni taminlaydi, bundan tashqari ish rejimi tanlab, zaif optik signallarni yuqori sifatli qabul qilish mumkin.

• Kichik aftomatik aralshtirish rejimi va tavsiya etilgan elektron sxemada teskari aloqa mavjudligi kichik o`zgaruvchan signallarni kuchayishini amalda buzilishsiz olish imkonini berdi.

• 14

• Maydon tranzistor yordamida kuchlanish kuchaytirgichi funksyasining bajarilishi kirish sigalining yo`qolishini yo`q qiladi va uning chiqish parametrlarini integral mikrosxemaga mos kelishini soddalashtiradi. Umumiy manbaga ega bo`lgan kontaklarning zanglashiga olib kirish oqim signalida ham, voltajda ham (bipolyar tranzistor uchun umumiy emmitterli sxemaga o`xshash) daromad olish imkonini beradi.

• 15

• Bugingi kunda ilmiy-texnikaning zamonaviy yo’qlanishi elektronikaning rivojlanishi bilan chanbarchas bog`liqdir. Elektronika gaz, qattiq jism vakuum va boshqa muxitdagi elementar zaryadlangan zarrachalarga elektromagnit maydon ta`sir natijasida xosil bo’lgan elektr o’tkazuvchanlikni o’rganish va undan foydalanish masalalari bilan shugullanadigan fan sohasidir. Elektronika yutuqlari natijasi sifatida elektrovakuum va yarim o’tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida namoyon bo’ladi. Olib borilgan izlanishlar natijasida quyidagilar o’rganildi:
• Maydon tranzistorlarining yaratilish tarixini o`rganildi;
• Maydon tranzistorlarning tashqi bosimga sezgirligining xususiyatlarini va bu ta’sir natijasidagi o`zgarishlarni o`rganildi;
• Maydon tranzistorining yorug`likka sezuvchanlik xususiyatlarini o’rganildi.

• XULOSA

• 16