Норавшан ва стохастик ахборот муҳитларида маълумотларни излаш ва қайта ишлаш усуллари, моделлари

VAZIFALAR

• Maydon tranzistorlarining yaratilish tarixini o`rganish;
• Maydon tranzistorlarning tashqi bosimga sezgirligining xususiyatlarini va bu ta’sir natijasidagi o`zgarishlarni o`rganish;
• Maydon tranzistorining yorug`likka sezuvchanlik xususiyatlarini o’rganish;

• 5

• Maydon tranzistorlarini o`rganish davomida olingan natijalar tranzistorlarning qo`llanilish sohasini yanada kengayishiga olib keldi. Tranzistorlarni faqat kuchaytirgich emas balki qayd qiluvchi sifatida ham qo`llash imkoniyati o`rganildi.

• 6

• Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri bo`lib, 1833-yilda ingliz olimi Maykl Faradey yarimo`tkazgich material - kumush sulfidi bilan o`tkazgan tajribadan boshlangan yarimotkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab bo`ldi.

• 1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimotkazgich kontaktida bir tomonlama o`tkazuvchanlik hodisasini aniqladi.

• 7

• 1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimo`tkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.

• 1922-yilda esa Oleg Losev, malum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega bo`lgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qo`llanildi.

• 1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz bazi bir yarimo`tkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi.

• 8

• Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya-vengriyalik fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bog`liq. U tokni boshqarishning yangi yo`lini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga ko`ra, tok uzatish yo`li bo`ylab unga ko`ndalang elektr maydon qo`yiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga tasir qilib, o`tkazuvchanlikning yo`nalishini o`zgartiradi. Ushbu kashfiyot uchun Kanadada 1925-yil 22-oktabrda va Germaniyada 1928-yilda patent olgan.

•