Nókis filialí «Programmaliq injiniringi» baǵdarı

Bipolyar tranzistorlardın’ sxemaǵa jalǵanıwı.

Emitter tokı tek gewekler háreketi sebepli payda bshlmasdan, elektronlar háreketi menen xam boglik. Kollektorda bolsa tok fakat gewekler háreketi sebepli payda boladı. Sol sebepli emitterning natiyjeliligi

(1)

arqalı anıqlanadı. Bul jerde Ier-gewekler háreketi sebepli payda bshlgan emitter tokı ; Ien-elektronlar háreketi sebepli payda bulgan emitter tokı. Emitterdan bazaǵa injektsiyalangan (purkalgan) bir kism gewekler baza daǵı tiykarǵı zaryad tasıwshılar -elektronlar menen rekombinatsiyalanadi.

Baza orkali utib baratuǵın gewekler, baza ushın tiykarǵı bulmagan tok tasıwshı bóleksheler esaplanadi. To’mendegi

(2)

koefficient menen aniklanadigan shama baza orkali utuvchi tiykarǵı bulmagan zaryad tasıwshılardı utkazish koeffitsenti dep júritiledi.

Emitterning natiyjeliligi hám utkazish koefficiyenti tranzistor úlken signal menen islegendegi tok uzatıw koefitsienti h_{21 B} ni belgileydi.

Bul koefficiyent

(3)

ǵa teń. Konvektorga kirip keliwshi tok yunalishi oń yunalish dep kabul kilinganligidan (6 -25) de " minus" belgi kuyiladi. h21 B koefficiyenti tranzistordıń áhmiyetli parametrlerinen biri esaplanıp, sapalı tayarlanǵan tranzisorlarda birge yakin boladı. 3 - suwretde kursatilganidek tranzistordı shınjırǵa jalǵaw ulıwma bazalı (UB) sxema dep júritiledi.

Tranzistordı UB sxemada jalǵaw.
Bul sxema buyicha Yeeb hám Yekb dereklerdiń jalǵanıw usılına kura tranzistorlar túrli rejimde islewi múmkin.

Usılardan tranzistor aktiv rejimde islegende odan shtuvchi júzimdi basqarıw nátiyjeli bshladi. Sol sebepli bunday jalǵaw ulıwma emitterli (UE) sxema dep júritiledi. Tap sonday ulıwma bazalı (UB) hám ulıwma kollektorlı (UK) sxemalardı xam dúziw múmkin. 1. 1-kestege muvofik tranzistorlardan signallardı kúsheytiw, impulsi sxemalar dúziw hám x. larda paydalanıw múmkin. Sol sebepli tranzistorlarǵa signal tásir ettirilgende onıń parametrleri kanday uzgarishiga ayrıqsha axamiyat beriledi.

Tranzistordın’ rejimi	Р-П o’tiw		Paydalanıw tarawı
	Emitter – baza	Kollektor – baza
1. Aktiv 2. Toyınıw 3. Ajıratıw 4.Inversiya	Tuwrı Tuwrı Keri Keri	Keri Tuwrı Keri Tuwrı	Signallardı kúsheytiw Impulsli sxemalarda Cifralı sxemalarda Cifralı sxemalarda

Tranzistorlarǵa kishi signal tásir ettirilgende, onı chizikli aktiv simmetrik bolmaǵan turt kutbli dep karash múmkin. Kishi signal tásir ettiriw delingende signal amplitudasi 1. 5 ese arttırılǵanda tranzistor parametrleri 10% ten kupga ortmaydigan qal kuzda tutıladı. Sonda turt kutbli parametrlerdi esaplaw usılın (3. 1) kullash múmkin. Ádetde, tranzistorlardı h parametrlerin UB hám UE sxemalar ushın esaplanadi. Bul sxemalar járdeminde tabılǵan parametrler uzaro kuyidagicha boglangan:

;

;

Usılardan eń kup isletiletuǵın UB sxemada

:
U _кэ = cоnst (5)
Hám UE sxema ushın

:
U _кэ = соnst (6)

Bulib, olar uzaro kuyidagicha boglangan:

(7)

Bul sxemadan

(8)

Shárt atqarılatuǵın chastotada hám Se den utuvchi uzgaruvchan toklar birdey boladı.

Shıǵıw tokı absolyut kiymat buyicha ese azayatuǵın tok chastotası UE sxema buyicha tok uzatıwdıń sheklew chastotası dep júritiledi hám xarfi menen belgilenedi;

(9)

Jiyilik artip barıwı menen tranzistor daǵı chikish tokı xam azaya baradı hám belgili bir fcheg chastotada ol baza tokına teń bolıp qaladı:

(10)

f_чег - Tranzistordıń tok uzatıw shegaralıq chastotası dep ataladı. Shekish chastotası hám shegaralıq chastotalar bir-biri menen kuyidagicha boglangan:

: (11)

Tranzistordan shtuvchi toklardıń kernewge baylanıslılıǵı statikalıq volt-amper xarakteristikaları (VAX) orkali ańlatpalanadı. Olar kirisiw hám chikish xarakteristikalarına ajraladi`.

Kirisiw xarakteristikası degende chikish shınjırınıń kernewi shzgarmas saklangan túrde, kirisiw shınjırındaǵı júzimdiń kirisiw kernewine baylanıslılıq grafigi tushiniladi. Mısalı, UE sxemasında Uk=const, Ib = f (Ube). Shikish xarakteristikası degende kirisiw shınjırındaǵı tok uzgarmas bulganda, chikish tokınıń chikish kernewine boglikligi túsiniledi. Mısalı, UE sxemada

I_э=соnst I_k=f(U_кб)