Нефть ва газни қайта ишлаш жараёнлари ва ускуналари Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги олий ўқув юртлари бакалавриатининг «Нефть ва нефть-газни қайта ишлаш технологияси»

Мавҳум қайнаш қатламли қристаллизатор. Бундай кристаллизаторлар катта ўлчамли ва бир хил шаклдаги кристаллар олиш учун ишлатилади. Мавҳум қайнаш қатламли кристаллизаторларда кристалланиш жараёни эритма бир қисмининг буғлатилиши ёки эритманинг совитилиши билан олиб борилади. Мавҳум қайнаш қатламли буғлатувчи кристаллизаторнинг тузилиши 17.5-расмда кўрсатилган. Бу ускуна қобиқ қувурли совитгич ва циркуляция қилувчи насосдан иборат. Узлуксиз сўрилувчи қувур орқали берилаётган эритма қисман кристаллардан ажралган суюқлик оқими билан аралашади. Бу оқимнинг миқдори дастлабки берилаётган эритманинг миқдорига нисбатан бир неча марта кўп бўлганлиги учун аралашган эритманинг концентрацияси ва ҳарорати кам ўзгаради.



17.5-расм. Мавҳум қайнаш қатламли кристаллизатор:
1-ускунанинг қобиғи; 2-циркуляцион насос; 3-узатувчи қувур; 4-эритма бериладиган патрубка; 5-кристалл маҳсулот чиқадиган патрубка; 6-буғлаткич; 7-иккиламчи буғлар чиқадиган патрубка; 8-иситувчи буғ патрубкаси; 9-конденсат чиқадиган патрубка.

Шу сабабли циркуляцияли насос орқали аралашган эритмани совитгичга узатиб совитилганда, эритма камроқ тўйинади. Сўнгра эритма ускунанинг пастки қисмига берилиб, келаётган иссиқлик оқими билан ускунадаги кристаллар қайнаб, тўйинган эритма ҳисобига кристаллар катталашади. Ўз таркибида жуда майда кристалларни ушлаган, қисман кристаллардан ажралган суюқлик қолдиғи узлуксиз сўрувчи қувурга тушиб, берилаётган эритма билан аралашиб яна насос орқали узатилади ва цикл қайтадан такрорланади. Ҳосил бўлган кристалл маҳсулотлари ускунанинг пастки қисмидан ажратиб олинади. Совитгичга кираётган ва чиқаётган суюқликнинг керакли ҳароратини ҳосил қилиш мақсадида қўшимча циркуляция контуридан фойдаланилади.

Дискли кристаллизатор. Узлуксиз ишлайдиган кристаллизаторлар қаторига вертикал ва горизонтал дискли кристаллизаторни ҳам киритиш мумкин. 17.6-расмда вертикал дискли кристаллизаторнинг схемаси келтиритган. Ушбу кристаллизатор ичи бўш дисклар 3 дан иборат бўлиб, уларнинг халқасимон каналлари бўйлаб совитувчи агент ҳаракат қилади. Дисклар тортиб турувчи болтлар ёрдамида битта пакетга жамланган бўлиб, уларда кристалланаётган аралашманинг оқиб ўтиши учун тешиклар мавжуд.





17.6-расм. Дискли кристаллизатор схемаси:
1-вал; 2-куракча; 3-дисклар; I-дастлабки аралашма; II-суспензия; III-совитувчи агент.

Ҳар бир дискда совитувчи агентнинг кириши ва чиқиши учун иккитадан штуцер бор. Дискларнинг марказий тешикларига вал 1 жойлаштирилган. Совитувчи юзаларни тозалаш ва кристаллизатни аралаштириш учун валга куракчалар 2 бириктирилган. Дастлабки эритма I юқоридаги таъминловчи штуцер орқали дисклар оралиғидаги бўшлиққа берилади, у барча дисклар оралиғидаги бўшлиқлар орқали ўтиб сўнгра суспензия II ҳолатида пастки штуцер орқали ускунадан ташқарига чиқазилади. Совитувчи агент III одатда ускунага совитилаётган аралашмага нисбатан қарама­-қарши йўналишда юборилади. Контактли кристаллизатор. Эритманинг совитувчи агент билан ўзаро контактига асосланган кристалланиш жараёни бир қатор афзалликларга эга: фазалар орасидаги контакт юзанинг кўплиги ва уларнинг катта тезлик билан аралаштирилиши оқибатида иссиқлик ва модда алмашиниш жараёнлари юқори жадаллик билан амалга ошади; кристалланаётган эритма ва совитувчи агент ҳароратлари ўртасидаги фарқ кичик қийматга (0,5–2⁰С) эга бўлганда ҳам кристалланиш жараёни юз беради; кристаллизаторларда иссиқлик алмашиниш юзаларининг бўлмаслиги сабабли уларнинг тузилишлари жуда ихчам бўлади. Ушбу жараён камчиликлардан ҳам холи эмас: ажралаётган маҳсулотлар совитувчи агентнинг таъсирида ифлосланиши мумкин; ишлатилган совитувчи агентни тайёр маҳсулотлардан ажратиб олиш билан боғлиқ бўлган янги жараён пайдо бўлади. Контактли кристалланишни даврий ва узлуксиз равишда олиб бориш мумкин. 17.7-расмда суюқ совитувчи агентни ишлатишга мўлжалланган узлуксиз контактли кристалланиш қурилмасининг схемаси берилган. Бу ерда дастлабки аралашма I ва совитувчи агент VI узлуксиз равишда кристаллизатор 1 га берилади ва ҳосил бўлган суспензия ҳам узлуксиз равишда ускунадан ташқарига чиқариб турилади. Суспензия фильтр 2 га юборилади, у ерда ажралган кристаллар ювилади ва йиғгич 3 га туширилади. Йиғгичда кристаллар суюлтирилади. Суюлган маҳсулотнинг бир қисми юқори ҳароратда эрийдиган тайёр маҳсулот сифатида ажратиб олинади, қолган қисми эса кристалларни ювиш учун ишлатилади. Ювинди суюқлик (фракция II) нинг таркибида одатда маълум миқдорда юқори ҳароратда эрийдиган компонент бўлади, шу сабабдан уни дастлабки аралашмага қўшилади. Фильтрат тиндиргич 4 да икки қатламга ажралади, юқориги қатламдан она суюқлик паст ҳароратда эрийдиган маҳсулот сифатида ажратиб олинади, пастки қатламдан ажратиб олинган совитувчи агент иссиқлик алмашгич 5 да совитилгандан сўнг кристаллизаторга юборилади.

17.7-расм. Суюқ совитувчи агентдан фойдаланиладиган узлуксиз контактли кристалланиш қурилмасининг схемаси:
1-кристаллизатор; 2-фильтр; 3-кристалл маҳсулот йиғгичи; 4-чўктиргич; 5-иссиқлик алмашгич; I-дастлабки суюлтирилган қотишма; II-ювитишдан кейинги фракция; III-ювитишга юборилаётган суюлтирилган қотишма; IV-она суюқлик; V-совитувчи агент.