Неа фанининг республикамизда жорий қилинаётган илғор технологиялари ва уларни ривожлантиришдаги ахамияти



Download 19,45 Mb.
bet42/54
Sana12.04.2022
Hajmi19,45 Mb.
#544657
1   ...   38   39   40   41   42   43   44   45   ...   54
Bog'liq
Abduvayitov (bakalavr A5) - Kitob (2)

Maydon tranzistorlari


Yarim o’tkazgich yoki metall nanotrubka asosida, maydon tranzistorlarini yaratish mumkin, u xona yoki past temperaturada xam ishlayveradi. Maydon tranzistorlari shunday qurilma bo’lib, boshqaruv elektr maydoni yordamida kuchni olib o’tishni boshqarishiga imkon beradi va u signalni kuchaytirishda, kalitlatda va boshqalarda ishlatiladi.
Yarim o’tkazgichli UNT tranzistorda elektr maydon delekal holatdagi zonada o’tkazuvchilar konsentrasiyasida boshqariladi.





25.3 – rasm. Yarim o’tkazgichli nanotrubkadagi maydon tranzistori sxemasi: a) potensial elektrodga bog’liq bo’lgan o’tkazuvchi zanjir; b) uni volt amper xarakteristikasi



Nanoqurilmada nanotrubka 2 ta ingichka platina elektrodga qo’shiladi, ularga tok o’tishi uchun asosiy kuchlanish berildi. 3 chi boshqaruvchi elektrod sifatida kremniy kobalt dan foydalaniladi. Yarim o’tkazgich nanotrubkada valent zona o’tkazuvchi zonadan ochiq joy bilan ajratilgan, shuning uchun o’tkazuvchanlik zonasida tashqi maydon o’tkazuvchilarini konsentratsiyasi kam va nanotrubka yuqori qarshilikka ega. 3-chi elektrodga elektr maydon berilganda U nanotrubka xududida elektr maydon paydo bo’ladi, u esa energetik taqsimotni zonalarini o’zgartirib yuboradi. Natijada, zona chekkalari Fermi sathi bilan aralashib ketadi. Bunday holda ochiq joylar konsentratsiyasi valent zonada va o’tkazuvchanlik zonasida oshib ketadi. Elektrod asosidagi - 6 v bo’sh joylar konsentratsiyasi maksimumga erishadi (25.4 – rasm), qarshilik minimumga yetib nanotrubka metallga aylanadi.





25.4 – rasm. Metal nanotrubka uchun 1 ta diskret daraja qatnashishi orqali elektronlar o’tkazish sistemasi: a) potensial elektrodni o’tkazuvchanligiga bo’g’liqligi; b) uni volt amper xarakteristikasi



Metal nanotrubka asosidagi maydon tranzistorlarini yaratishda nanotrubkadan alohida molekulyar orbitalar orqali o’tuvchi elektronlar tunnel usulida o’tkazish effektidan foydalaniladi. Buning natijasida nanotrubka uzunligi yakunlovchi, uning elektr spektri ketma ketligini yo’qotadi va quvvat diskret darajasi 1 m eV ni, uzunligi 1mkm ni xosil qiladi.



Download 19,45 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   38   39   40   41   42   43   44   45   ...   54




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish