Namangan muhandislik-qurilish

n
  tipidagi  yarim 
o‟tkazgichlar 
p
  tipidagi  aralashma  biriktirilsa,  u  holda  triodlar  yoki  ancha  keng 
tarqalgan 
p - n - p 
tipidagi tranzistorlar hosil bo‟ladi (5.5a - rasm). 
n - p - p
 tipidagi 
tranzistorlar kam uchraydi (5.5b - rasm). 

---

 
48 
 
5.5-rasm. Yarim o‟tkazgichli triodlar sxemasi. 
Yarim  o‟tkazgichning  trioddagi  plastinasi  baza  yoki  asos 
(V)
  deb, 
aralashmadan  bir  tomchisi  emitter 
(E)
  (kiruvchi  yoki  injektsiyalovchi  zaryadlar), 
ikkinchi tomchi kollektor 
(S)
 (zaryadlarni to‟plovchi) deb nomlangan. Baza 10 - 12 
mkm qalinlikda yasaladi. 
 
Emitter, kollektor va baza ta‟minlash manbaiga ulangan o‟z chiqishlariga ega. 
p  -  n  -  p
  tipidagi  triod  emitter  ta‟minlash  manbai  plyusiga,  kollektor  esa  minusiga 
ulangan, 
n  -  p  -  p
  tipidagi  triod  emitteri  manba  minusiga,  kollektor  esa  plyusga 
ulangan.  Natijada  ikkita  elektron-teshikli  o‟tish  hosil  bo‟lib,  ulardan  biri,  ya‟ni 
emitter  bilan  baza  orasidagi  emitterli  o‟tish,  ikkinchisi,  ya‟ni  baza  bilan  kollektor 
orasidagisi kollektorli o‟tish deb ataladi. 
Tranzistorda  emitterdan  bazaga  boruvchi  baza  toki