N. E. Avezov, Sh. K. Ismailov, B. G’. Samandarov, “Elektronika va sxemalar 1” fanidan O’quv qo’llanma

LABORATORIYA ISHI №.14

MT statik xarakteristikalarini tadqiq etish. Parametrlarini hisoblash.

Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va differentsial parametrlarini o’rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta'sirini tadqiq etish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko’rish:
Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 6.1- rasmda keltirilgani kanali r- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.

a) b)
6.1-rasm

Stok toki zatvorga kuchlanish berish orqali boshqariladi, ya'ni boshqarilayotgan p-n o’tishga teskari kuchlanish U_ZI>0 beriladi. U_ZI dagi berkitish kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi. Natijada berilgan U_SI kuchlanish qiymatida kanal kengligi kichrayadi, uning qarshiligi R_K ortadi, demak stok bilan istok oralig’idagi stok toki I_S kamayadi. 6.2- rasmda boshqarish xarakteristikasi I_S= f (U_ZI) keltirilgan.

6.2-rasm
Boshqaruvchi p-n o’tishning hajmiy zaryad sohasi va asos bilan kanal orasidagi p-n o’tish birikkandagi (stok toki I_S nolga teng bo’ladigan) zatvor kuchlanishi qiymati bo’sag’aviy kuchlanish U_BO’S deb ataladi.

To’yinish rejimida ishlayotgan maydoniy tranzistor boshqaruv xarakteristikasini quyidagi bog’liqlik bilan approksimatsiyalash qulay.
(6.1)

bu erda maksimal stok toki zatvor – istok kuchlanishi nol I_{S max} – U_ZI = 0 ga mos keluvchi boshlang’ich stok toki.

Boshqaruv xarakteristikasidan (6.2- rasm) xarakteristika tikligi aniqlanishi mumkin.

.
(6.1) approksimatsiyadan foydalanilganda tiklik quyidagicha aniqlanadi:
, (6.2)
Maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasi 6.3 – rasmda keltirilgan. Xarakteristikaning boshlang’ich sohasi (U_{SISI TO’Y}) chiziqli rejimga mos keladi. Bu rejimda kanal butun istok-stok oralig’ida mavjud bo’ladi, shuning uchun U_SI ortgan sari, chiziqli qonunga mos ravishda stok toki ham ortadi.

U_SISI.TO’Y da tranzistor to’yinish rejimiga o’tadi, bu sohada stok toki I_S stok kuchlanishi U_SI ga kuchli bog’liq bo’lmaydi. Ikki rejim chegarasi hisoblangan to’yinish kuchlanishi U_SI.TO’Y zatvordagi kuchlanish U_ZI ga bog’liq bo’ladi va quyidagi formuladan aniqlanadi: U_SI.TO’Y=U_ZI–U_BO’S. Chiqish xarakteristikasidan (6.3 - rasm) chiqish qarshiligi aniqlanishi mumkin

6.3-rasm

Bu kattalik to’yinish rejimida hisoblansa, katta qiymatga ega bo’ladi, shuning uchun tranzistor kuchaytirgich sifatida ishlatilayotganda sxemaning sokinlik nuqtasi shu rejimda tanlanadi. Chiziqli rejimda tranzistor chiqish qarshiligi zatvordagi kuchlanish U_ZI ga bog’liq va taxminan tanlangan ishchi nuqtada U_SI kuchlanishini I_S tokka nisbati ko’rinishida yoki 6.3 – formuladan aniqlanishi mumkin.

, (6.3)

bu erda .

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. 6.4- rasmda keltirilgan sxema, o’lchash asboblari o’lchanadigan KP103 maydoniy tranzistor pasport ko’rsatmalari bilan tanishib chiqing. (5- ilovaga qarang)

Sokol rasmini chizib oling va tadqiq etilayotgan tranzistorning chegaraviy parametrlari U_SI._CHEG, I_S.CHEG, P_CHEG qiymatlarini yozib oling. 6.4 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing.

6.4-rasm
2.2. Stok kuchlanishining U_SI=1/3 U_SI.CHEG va 2/3 U_SI.CHEG qiymatlari uchun ikkita boshqaruv xarakteristikasini o’lchang (U_SI.CHEG qiymati pasport ko’rsatmalaridan olinadi). O’lchash natijalarini 6.1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv xarakteristikasini quring. Tajribada U_ZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo’sag’aviy kuchlanish U_BO’S gacha o’zgartiring.
2.3. Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO’S; 0,5U_BO’S) chiqish xarakteristikalar oilasi I_S=f(U_SI) ni o’lchang.

Tajriba o’tkazishdan avval I_S – U_SI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling. (6.5 - rasm)

6.1 – jadval