Mustoqil ishi Mavzu

916-18 guruh talabasi
Saparbayev To’lqin
Infokommunikatsiya tizmlari
Fanida
Mustoqil ishi
Mavzu: Elekrt tarmoqlardadagi quvvatni isrof turlari
Reja:
1. MOSFET quvvat
2.Elektr energiyasini yo'qotishning asosiy sabablari
3. Kam quvvatli natijalar
MOSFET quvvat(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor)
ning o'ziga xos turi metall-oksid-yarimo'tkazgichli dala-effektli tranzistor (MOSFET) muhim quvvat darajalarini boshqarish uchun mo'ljallangan. Boshqasi bilan taqqoslaganda yarimo'tkazgichli qurilmalar, masalan izolyatsiyalangan eshikli bipolyar tranzistor (IGBT) yoki a tiristor, uning asosiy afzalliklari yuqori almashtirish past voltajlarda tezlik va yaxshi samaradorlik. IGBT bilan haydashni osonlashtiradigan izolyatsiya qilingan eshik bilan bo'lishadi. Ular kam daromadga ega bo'lishi mumkin, ba'zida eshik kuchlanishi nazorat ostida bo'lgan kuchlanishdan yuqori bo'lishi kerak.
MOSFET quvvatlarini loyihalashtirish MOSFET evolyutsiyasi tufayli amalga oshirildi CMOS ishlab chiqarish uchun ishlatiladigan texnologiya integral mikrosxemalar 1960 yildan beri. MOSFET quvvati o'zining ishlash printsipini kam quvvatli hamkasbi, yon MOSFET bilan baham ko'radi. Odatda ishlatiladigan MOSFET kuchi quvvat elektroniği, standart MOSFET-dan moslashtirildi va 1970-yillarda tijorat sifatida taqdim etildi.^[2]
MOSFET kuchi eng keng tarqalgan yarimo'tkazgichli quvvat qurilmasi dunyoda, darvozani boshqarish quvvati pastligi, tez o'tish tezligi,^[3] oson rivojlangan parallel qobiliyat,^[3][4] keng tarmoqli kengligi, chidamlilik, oson haydash, oddiy xislat, dastur qulayligi va ta'mirlash qulayligi.^[4] Xususan, bu eng ko'p ishlatiladigan past kuchlanishli (200 V dan kam) kalit. Uni ko'pchilik kabi dasturlarning keng doiralarida topish mumkin quvvat manbalari, DC-DC konvertorlari, past kuchlanishli vosita tekshirgichlariva boshqa ko'plab dasturlar.
Kommutatsiya MOSFET-da quvvat yo'qotishlarini hisoblash, avvalgiday oson emas. Ko'p omillar o'ynaydi. Xandaq (yoki vertikal) va lateral MOSFETlarning yo'qotish xususiyatlari qanday farq qiladi? Past va o'rtacha quvvat darajalarida dasturlarda o'tkazuvchanlik va kommutatsiya yo'qolishining nisbiy ta'siri qanday o'zgaradi? Va har bir MOSFET tuzilishining o'ziga xos xususiyatlari yuqori samaradorlik dizayni ishlab chiqishga qanday ta'sir qiladi?