|
Planar epitaksial texnologiya.
Bipolyar va MDYa IMSlar ushbu texnologiyada yasaladi. Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini SiO2 o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida teshiklar shakllanadi. Kiritmalar kiritish diffuziya yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanib asosga tushadi va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadi.Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiyada barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi. Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega. Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metallizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi.KremniyIMSlardmetallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng
foydalaniladi.MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar. Yarim o‘tkazgichli IMSlar- bipolyar va MDYA IMS larga ajratiladi. IMSlarda zatvori izolyasiyalangan va kanali induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari p- va n– turli bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo‘llaniladi, ya’ni barcha sxema funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar
dielektrik sifatida SiO2 qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa – tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyasiya qilish operatsiyasi mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga yo‘nalgan tomonda ulangan p-n o‘tishlar bilan izolyasiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni ta’minlaydi. Mikroelektronikada ko‘p emitterli va
ko‘p kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi. Ko‘p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan bir kollektor va bir necha (8-10 gacha va ko‘p) emitterdan tashkil topgan. Ular tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi. Ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KET
tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin integral – injeksion mantiq (I2M) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi.
Raqamli sxemalarning tasniflanishi.
IMS bajarayotgan asosiy vazifa –elektr signali(tokyokkuchlanishko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin. Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydiganmikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (AIS), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa – raqamli integral sxemalar
(RIS) deb ataladi. Integral
m ikrosxemalarning murakkabli darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. Bu kattalik raqamli IMSlar uchun kristallda joylashishi mumkin bo‘lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi. 100 ta dan kam ventilga ega bo‘lgan IMSlar kichik integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlarga kiradi. O‘rta darajali ISlar 102, katta ISlar 102 105, o‘ta katta ISlar 105 107 va ultra katta ISlar107 darajadan ortiq ventillardan tashkil topadi. Bunday sinflanish tizimi analog mikrosxemalar uchun ham qabul qilingan. Integral mikrosxemalar GOST 11.073.915.—8 bo‘yicha
to‘rtta element yordamida markalanadi: -birinchi element mikrosxemaning konstruktiv-texnologik gruppasini bildiradi: 1,5,6,7 yarim o‘tkazgichli mikrosxemalarni; 2,4, 8— duragay mikrosxemalarni; qolganlari 3 raqami bilan belgilanadi. -ikkinchi element tartib nomerini; -uchinchi element ishlatilish sohasini bildiradi. Masalan, generatorlar — G, detektorlar — D; kommutator va kalitlar — K; ko‘p funksiyali sxema — X; modulyatorlar — M; yarim o‘tkazgichli passiv elementlar to‘plami — N; ikkilamchi tok manbai sxemalari — G va kuchaytirgichlar — U
(usilitel) harfi bilan belgilanadi; -to‘rtinchi element bitta seriyadagi bir xil operatsiyani bajara oladigan mikrosxemaning nomerini bildiradi.
To‘rtinchi elementdan so‘ng, mikrosxemani bir yoki bir nechpa
parametri bo‘yicha farqlovchi harf qo‘yiladi. Keng qo‘llaniladigan integral mikrosxemalardashartli belgilardan oldin K harfi qo‘yiladi. Mikrosxema korpusining materiali va tipini ko‘rsatish uchun K harfidan keyin quyidagi harflar qo‘yiladi: R—ikkinchi tip plastmassali korpuslar uchun; M—ikkinchi tip keramika, metall-keramika va metallshishali korpuslar uchun; E—ikkinchi tip metall-polimer korpuslar uchun; A—to‘rtinchi tip plastmassa korpuslar uchun; I — to‘rtinchi tip keramika-shisha korpuslar uchun. 1974 yilgachaishlab chiqarilgan mikrosxemalardauchinchielement birinchi raqamdan so‘ng yozilgan.
Foydalanilgan adabiyotlar:
1. Xonboboev А.I., Хаlilov N.А. Umumiy elektrotexnika va elektronika asoslari. Darslik. – Т.: “Uzbekiston”, 2000. – 446 b.
2.
Karimov A.S va boshqalar. “Elektrotexnika va elektronika asoslari”. -Toshkent.: O‘qituvchi, 1995. – 465 b
3.
Атабеков Г.И. Теоретические основы электротехники. Линейные электрические цепи: Учебное пособие. 7 – е изд., СПб.: Издательство «Лань»,2009. – 592 с.
4.
Majidov S.М. “Elektrotexnika”, Toshkent, “O’qituvchi” 2000 y., 210b.
Do'stlaringiz bilan baham: | 
