Muqobil energiya manbalari

Somon Yoʻli markazidan uzoqligi (oʻrtacha)
~2.5×10^17 km (26,000-28,000 yorugʻlik yili)
Galaktik davri	2.25-2.50×10^8 Yer yili
Tezlik	217 km/s (Galaktika markaziga nisbatan), 20 km/s (qoʻshni yulduzlarga nisbatan)
Fizik tasnif
Oʻrtacha diametri	1.392×10^6 km (109 Yer diametri)
Perimetri	4.373×10^6 km (342 Yer diametri)
Siqiqligi	9×10^−6
Yuzasining maydoni	6.09×10^12 km² (11,900 Yer maydoni)
Hajmi	1.41×10^18 km³ (1,300,000 Yer hajmi)
Massasi	1.988 435(27) × 10^30 kg (332,946 Yer massasi)
Zichligi	1.408 g/sm³
Sirtidagi tortish kuchi	273.95 m s^−2 (27.9 g)
Ikkinchi kosmik tezlik	617.54 km/s (55 Yer IKT)
Sirtidagi harorat	5785 K
Protuberanetsidagi harorat	5×10^6 K
Yadrosidagi harorat	~13.6×10^6 K
Yorqinlik (LQuyosh)	3.827×10^26 Vt ~9×10^27 kd ~3×10^27 kd
Oʻrtacha intensivlik (IQuyosh)	2.009×10^7 Vt m^−2 sr^−1
Aylanishi tasnifi
Ekliptikaga ogʻish burchagi	7.25° (Yer ekliptikasiga nisbatan) 67.23° (Galaktika tekisligiga nisbatan)
Rektassenziya (Shimoliy Qutb uchun)	286.13° (19 soat 4 daq 30 s)
Deklinatsiya (Shimoliy Qutb uchun)	+63.87°
Aylanish davri (ekvatorda)	25.3800 Yer sutkasi (25 kun 9 soat 7 daq 13 s)
Aylanish tezligi (ekvatorda)	7174 km/soat
Fotosfera tasnifi
Vodorod	73.46 %
Geliy	24.85 %
Kislorod	0.77 %
Uglerod	0.29 %
Temir	0.16 %
Neon	0.12 %
Azot	0.09 %
Kremniy	0.07 %
Magniy	0.05 %
Oltingugurt	0.04 %

nisbatan, ko‘proq tarqalgan.
1. Foto elektrik QES si - foto elektr generatori yordamida Quyosh energiyasini bevosita elektr energiyasiga aylantiradi.
2. Termodinamik QES si - Quyosh energiyani avval issiqlik energiyasiga, so‘ngra elektr energiyasiga aylantiradi. Termodinamik Quyosh elektr stansiyalarining quvvati, aksariyat, foto elektrik stansiyalar quvvatidan yuqori bo‘ladi.
2-Laboratoriya mashg‘uloti. Passiv va aktiv quyosh suv isitgichlarining ish jarayonini o‘rganish.
Yarim o`tkazgichli asboblar va mikroelektronika mahsulotlarini tayyorlashda ishlatiladigan materiallarni to`rtta guruhga bo`lish mumkin: asosiy, texnologik, konstruktiv va yordamchi materiallar. Asosiy materiallarga yarim o`tkazgichli asboblar, integral mikrosxemalar, yorug`lik nurlantiruvchi asboblar, fotoo`zgartkichlar, quyosh batareyalari, qattiq jismli lazerlar va boshqa ko`pgina
mikroelektronika mahsulotlari tayyorlashda ishlatiladigan yarim o`tkazgichli materiallar kiradi.
Texnologik materiallarga mikroelektronika qurilmalarini ishlab chiqarish texnologik jarayonlarida qo`llaniladigan materiallar kiradi. Bular: boshlang`ich yarim o`tkazgichli quyma va plastinalarga mexanik ishlov berishda ishlatiladigan abraziv materiallar; yarim o`tkazgichli plastinalarni yog`sizlantirish va yemirish uchun ishlatiladigan kimyoviy materiallar; yarim o`tkazgichli plastinalar sirtida har xil himoyalovchi dielektrik qoplamalar (SiO2, Si3N4, Al2O3 plyonkalari) hosil qiluvchi kimyoviy reagentlar; plastina sirtida kerakli geometrik shakldagi rel`yef suratini shakllantirish imkoniyatini beruvchi materiallar (foto-, rentgen- va elektronrezistlar); diffuzantlar – diffuziyali texnologik jarayonlarni o`tkazishda yarim o`tkazgichli plastinalarda kerakli turdagi elektr o`tkazuvchanlikli va solishtirma qarshilikli sohalarni hosil qiluvchi moddalar; legirlovchi materiallar (akseptorlar va donorlar) – yarim o`tkazgichlar va elektrod qotishmalarning elektrofizik xossalarini o`zgartirishda qo`llaniladigan moddalar; himoyalovchi materiallar (laklar, emallar, kompaundlar va boshqalar) – IMS aktiv va passiv elementlarini atrof muhit ta`siridan izolyasiyalashda qo`llaniladigan materiallar.
Konstruksion materiallar asosan yarim o`tkazgichli asboblar va IMS korpuslarini tayyorlashda ishlatiladi. Bularga metallar, qotishmalar, shishalar, keramikalar, plastmassalar va yelimlar kiradi. Yordamchi materiallar bir qancha texnologik operasiyalar (diffuziya, oksidlash, omik kontaktlar hosil qilish, quritish, yig`ish, kavsharlash, germetiklash va shu kabilar) ni o`tkazishda kerakli
sharoitlar (gazli muhit) ni ta`minlashda ishlatiladi. Yordamchi materiallarga qo`shimcha aslahalar (kassetalar, lodochkalar, tigellar, podstavkalar, yemirtirish qurilmalari va shu kabilar)ni tayyorlash uchun kerak bo`ladigan materiallar ham kiradi. Bulardan tashqari ko`pgina texnologik operasiyalarda o`ta toza (distirlangan, deionlashgan) suvdan foydalaniladi. Tayyor bo`lgan mahsulotlarga tovar ko`rinishini berish uchun har xil bo`yoqlardan foydalaniladi.
Metallar deb, yuqori issiqlik va elektr o`tkazuvchanlikka, ishlov berishlikka, plastiklikka, mustahkamlikka va o`ziga xos yaltiroqlikka ega bo`lgan moddalarga aytiladi. Metallarning xossalari kristall panjaralarining tuzilishiga bog`liq bo`ladi. Metallarning ko`pchiligi yoqli markazlashgan, hajm markazlashgan kub yoki zich joylashgan geksogonal panjarali bo`ladi.
Metallarda valent elektronlar atomlarga tegishli bo`lmasdan balki umumlashgan holatda kristall panjara ichida erkin siljib yuradi. Bunday umumlashgan valent elektronlar “elektronli gaz” ham deyiladi. Valent elektronlarini bergan atomlar musbat zaryadlangan ionlarga aylanadi va kristall panjara tugunlarida elektronlar bilan bo`ladigan elektrostatik ta`sir natijasida ushlab turiladi. Shunday qilib, bunday materiallardagi metall bog`lanish erkin valent elektronlar bilan musbat zaryadlangan ionlarning o`zaro ta`siri natijasida
bo`ladi.
Metallar qora (temir) va rangli (alyuminiy, magniy, mis, rux va xokazolar)ga bo`linadi. Bular esa o`z navbatida yengil, og`ir, qiyin eruvchan, nodir, kamyob, radiaktiv, transuran va xokazolarga bo`linadi. Metallli qotishma deb, har xil metallarning bir fazali yoki ko`p fazali aralashmalariga aytiladi.
Ikki yoki bir necha metallarning birgalikda eritilganda hosil bo`ladigan fazalar yo qattiq qotishmalar, yo intermetall birikmalar ko`rinishida bo`ladi. Qattiq qotishma hosil bo`lganda metall – eritkichning kristall panjarasi saqlanadi. Kristall panjara turlari bir xil bo`lgan ko`pgina metallar bir-biri bilan ixtiyoriy nisbatlarda aralashib qattiq qorishmalarning uzluksiz qatorini hosil qiladi. Biroq shunday metallar ham borki, ular biri-biri bilan chekli eriydi yoki umuman
qattiq fazada erimaydi.
Qattiq qorishmalarda uch xil turdagi struktura kuzatiladi: o`rin olish, kirish va ayrish. O`rin olish kuzatiladigan qattiq qorishmalarda erigan metallning atomlari kristall panjara tugunlarida joylashgan metall – eritkich atomllarining o`rniga o`tiradi. Bunda ular ma`lum bir qonuniyat asosida taqsimlanadi. Kirish kuzatiladigan qattiq qorishmalarda erigan metallning atomlari eritkich metall atomlarining o`rnini olmasdan, uning kristall panjarasidagi atomlar oralig`iga joylashadi. Kirish kuzatiladigan qattiq qorishmalar atom radiuslari kichik bo`lgan metallar eriganda hosil bo`ladi. Ayrish kuzatiladigan qattiq qorishmalar qotishma komponentlarining birortasining yetishmasligi natijasida hosil bo`ladi.
Erituvchi va erigan metallarning atomlari har xil radiusga ega bo`lganligi sababli qattiq qorishmaning kristall panjarasi o`rin olishda nisbatan kamroq, kirish va ayrish strukturalarda esa ko`proqqa buziladi.