Mundarija: I. Kirish I – bob mikrosxemalar topologiyasi tuzilishi

2.1 dan 3-rasm.Kam quvvatli n-p-n tranzistorining topologik sxemasi
Kollektor o‘lchamlari quyidagicha belgilanadi.
b_k≥b_b+2a+2Δ_f+Δ_c (2.11)
l_k≥l_b+l_kk+a+f+c+2Δ_f+Δ_c (2.12)
Xuddi shu usul bilan tranzistorning har qanday o‘tishiga asoslangan p-n-p kanalli tranzistor va diodlar kabi elementlarning geometrik o‘lchamlari hisoblanadi. Xuddi shu usuldan foydalanib va diod kabi p-n-p kanalli tranzistor elementlarning geometrik o‘lchamlari tranzistorning har qanday o‘tishi asosida hisoblanadi.
Muayyan konfiguratsiyaga ega bo‘lgan tranzistorning chiziqli o‘lchamlari ushbu turdagi texnologiya uchun minimal darajada bo‘lishi mumkin va tranzistorning o‘ziga xos parametrlari va o‘ziga xos fizik-ximyoviy tuzulishini ham hisobga olinishi kerak.


2.2 Maydon tranzistorlari
Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilarning kristall hajmidagi elektr maydon ta’sirida dreyf harakatla nishiga asoslangan uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarim o'tkazgich asbob maydoniy tranzistor (M T ) deyiladi. MTlarda tok hosil bo‘lishida faqat bir turli - asosiy zaryad tashuvchilar (elektron lar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba’zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda , BTlarda gi kabi tezkorlikka ta’sir etuvchi injeksiya va ekstra ksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilarning to'planish jarayonlari mavjud emas.
MTlarda tok bo'ylama elektr maydon ta’sirida er kin zaryad tashuvchilarning dreyf harakati tufayli hosil bo‘ladi. Tok hosil qiluvchi o‘tkazgich qatlam kanal deb ataladi va un - kanalli va p - kanalli bo‘lishi mum kin. Kanal chekkalariga elektrodlar o‘rnatilgan bo‘lib, ularning biri istok, ikkinchisi esa stok deb ataladi. Elektrodlardan qay biri istok, qaysinisi stok deb olinishining ahamiyati yo‘q. Zaryad tashuvchilar qaysi elektroddan kanalga oqsa, o‘sha elektrod istok deb, zaryad tashuvchilarni kanaldan o‘ziga qabul qiluvchi elektrod esa stok deb belgilanadi. Uchinchi elektrod - zatvor yordamida kanaldagi tok qiymati ko‘ndalang elektr maydon bilan boshqariladi.
Tuzilmasi va kanal sohasi o‘tkazuvchanligini bosh qarish usuliga ko‘ra MTlarning bir-biridan farqlanuv chi uchta turi bor.
1. Zatvori izolatsiyalangan MTlarda metall zatvor va kanal orasida yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday MT metall - dielektrik - yarim o'tkazgich (MDY) tuzilmaga egaligi sababli MDY - transistor deb ham ataladi. Uning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan turlari mavjud bo’lib : birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi texnologik usul bilan hosil qilinadi, ik kinchisida esa - kanal sohasi zatvorga ma’lum qutbli va qiymatli kuchlanish berilganda hosil bo‘ladi (induk siyalanadi). Ko‘ndalang elektr maydon yupqa die lektrik orqali o'tib, kanaldagi zaryad tashuvchilar kon sentratsiyasini boshqaradi.
2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarim o‘t kazgichning bevosita kontakti zatvor sifatida ishlatila di. Ishchi rejimda to‘g‘rilovchi kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi ya rim o‘tkazgichning kambag'allashgan sohasi qalinligi ni o‘zgartirib, tok o'tkazuvchi kanal kengligi, kanalda gi zaryad tashuvchilar soni va undan oqadigan tok qiymatini boshqaradi.
3. p -n o’tish bilan boshqariluvchi MTlarda zat vor sifatida kanal o‘tkazuvchanligiga nisbatan teska ri o'tkazuvchanlikka ega yarim o‘tkazgichdan foy dalaniladi. Natijada ular orasida p~n o‘tish hosil bo‘lib, ishchi rejimda ushbu p -n o‘tish teskari siljitiladi. Bunda zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p~n o‘tishning kambag‘allashgan sohasi kengligini va shu bilan tok o‘tkazuvchi kanal sohasining ko‘nda lang kesimini, undagi zaryadlar sonini o‘zgartiradi va natijada kanaldagi tok qiymati o‘zgaradi. p -n o‘tish kambag‘allashgan sohasi kengligining o‘zgarishi, Shottki barer balandligi va ikkala tranzistorlar ning asosiy xususiyatlari bir xil bo‘lgani sababli, bun dan buyon zatvor sifatida faqat p -n o‘tishdan foyda lanadigan MTlarni o‘rganamiz.
Elektr sxemalarda MTning zatvori kirish elektro di bo‘lib xizmat qiladi va kanaldan teskari ulangan p-n o‘tish yoki dielektrik bilan izolatsiyalanadi. Shuning uchun MTlar BTlardan farqli ravishda o'zgarmas tokda katta kirish qarshiligiga (108н -1010 Om) ega.
MDY-tranzistorlar integral mikrosxemalar ning, ayniqsa O‘KISlarning asosiy elementini tashkil etadi. Ular mikroprotsessorlar, mikrokontrollerlar, axbo rot sig‘imi katta xotira qurilmalari, elektron soatlar, tibbiyot elektronikasi qurilmalari va boshqalarda qo‘llaniladi. Katta quwatli MDY- tranzistor qayta ulovchi sxemalarda keng qo‘llaniladi. Boshqaruvchi elektrodi metall-yarim o‘tkazgich o'tishdan tashkil top gan arsenid galliy asosida tayyorlangan tranzistorlar o‘ta tez ishlovchi raqamli IMSlarni va O‘YCHli quril malarni yaratish uchun ishlatiladi. Kremniy asosidagi p -n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar past chastota li diskret elektron asbob sifatida qo‘llaniladi.