Mundarija: I. Kirish I – bob bipolyar tranzistorlar

Ishchi topshiriq
1. Umumiy emitterli kuchaytirgich kaskadi (1-rasm) va keltirilgan elementlar parametrlari uchun Uk = 0,5E da R1ni hisoblang. Tranzistorning ishchi rejimini hisoblang (Ik, Uke, Ib).
2. Sxemaning kichik signalli parametrlarini hisoblang:
- kuchaytirish koeffitsienti K_U,
- kirish qarshiligi Rkir,
- chiqish qarshiligi Rchiq .
3. Umumiy kollektorli kuchaytirgich kaskadi ( 2- rasm) va keltirilgan elementlar parametrlari uchun Ue = 0,5E da R1ni hisoblang. Tranzistorning ishchi rejimini hisoblang (Ik, Uke, Ib).
4. Sxemaning kichik signalli parametrlarini hisoblang:
- kuchaytirish koeffitsienti K_U,
- kirish qarshiligi Rkir,
- chiqish qarshiligi Rchiq .
2. Eksperimental qism
1- jadvalda berilgan variantlar asosida tranzistorning modellarini yarating.
Buning uchun tranzistor tasviri ustida sichqonchaning klavishini ikki marta bosing va paydo bo‘lgan NPN Transistor Properties oynasi Library bo‘limida default kutubxonasini tanlang, keyin Model bo‘limida tranzistorning ideal turini tanlang. Sichqonchaning Copy va Paste tugmalarini ketma-ket tanlab, paydo bo‘lgan oynachada lotin xarflarida tranzistor tipini topshiriq varianti asosida yozing va OK tugmasini bosing. Natijada Model bo‘limida tranzistorning yangi tipi paydo bo‘ladi. Tranzistor parametrlarini korrektirovka qilish uchun Edit tugmasini bosing, 1- jadval asosida quyidagi parametrlarni kirgizing: Forward current gain coefficient [BF] (kuchaytirish koeffitsientiβ), Base ohmic resistance [RB] (baza qarshiligi Rb), Emiter ohmic resistance [RE] ( emitter qarshiligiRe), Collector ohmic resistance [RC] (kollektor qarshiligi Rk). Qolgan parametrlar qiymatlarini o‘zgarishsiz qoldiring.
2. Umumiy emitterli kuchaytirgich kaskadini o‘rganish uchun 2.4.2- rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing.

2.4.2- rasm.

2.4.1-Jadval

3. Rezistorlar qarshiliklari, kondensatorlar sig‘imlari va iste'mol manbai kuchlanishi qiymatlarini 2.4.2-rasmdagi sxema uchun 2.4.2-jadval asosida 11-variantiga mos ravishda tanlandi.

4. Umumiy emitterli kuchaytirgich kaskadi kuchaytirish koeffitsientini aniqlash uchun funksional generator yordamida kirish kuchlanishi Ukir=0,1V, chastotasi f=1kGs bo‘lgan sinusoidal signal bering. Chiqish kuchlanishi Uchiq qiymatini yuklama qarshilik Rn da o‘lchandi.

XULOSA
Radioelektron qurilmalar juda ko‘p sondagi elektron asboblardan tashkil topadi. Fan texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turi yanada ortib bormoqda. Shuning uchun radioelektron qurilmaning mustahkamligi, uzoq muddat ishonchli xizmat qila olish qobiliyati va boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularning hajmini kichraytirish, og‘irligi va sarf qiladigan quvvatini kamaytirish kabi masalalar o‘rtaga qo‘yilmoqda

Yarim o‘tkazgichlar texnikasining rivojlanishi yarim o‘tkazgichli imkoniyatni yaratadi. Bunday asboblar modul-sxemalar yoki mikromodullar deb ataladi. Ularda o‘ta ixcham qobiqsiz yarim o‘tkazgichli asboblar, plyonkali (paradasimon) qarshilik va kondensatorlar ma’lum sxema asosida bir qobiq ichiga yig‘iladi va biror element qurilmaning to‘liq sxemasini tashkil etadi. Shuning uchun ular mikrosxemalar deb ataladi.
Mikrosxemalarning 1 sm3 hajmda kamida 5 ta element (tranzistor diod rezistor, sig‘im va induktivlik) qatnashib, ular biror element qurilmaning tugallangan sxemasini tashkil etish lozim. Hozir integral mikrosxema (IMS) deb ataladigan yarim o‘tkazgichli asboblar keng qo‘llaniladi. Ular qurilmaning umumiy hajmini 20000 martadan ortiq kichraytirish imkonini beradi. IMS shunday qurilmaki, uning barcha elementlari yoki ularning bir qismi ajralmas qilib bog‘langan bo‘ladi. Ular bir-biri bilan shunday tutashkanki, natijada bir butun qurilma bo‘lib xizmat qiladi.