Mundarija: I. Kirish I – bob bipolyar tranzistorlar

MAVZU: BC 407 tipidagi bipolyar tranzistor asosidagi kuchatyirgichlarni parametrlarini xisoblash va loyihalash.
MUNDARIJA:
I.KIRISH ………………………………………………………………..…….…..2
I – BOB Bipolyar tranzistorlar ……………………………………….……...…3
1.1 Tranzistorli kuchli kommutatorlar………….………. ………………….…....3
1.2 Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi ………… …………….….….5
II.ASOSIY QISM……………………………………………………………....... 9
2.1. Bipolyar tranzistorlarni statik xarakteristikalari va fizik parametrlari…… 9
2.2 Kuchaytirgich parametrlari va xarakteristikalari ………………….………...14
2.3. Komplementar emitter qaytargich …………….………………..…………...18
2.4 Bipolyar tranzistorlarda yig‘ilgan kuchaytirgich kaskadlarini hisoblash ………………………......……………………………………………………….....33
III.XULOSA.......................................................................................................40
IV.ADABIYOTLAR ROYHATI.......................................................................41

KIRISH
Kurs ishini bajarishdan maqsad: “Mikrosxematexnika” ta’lim yo‘nalishi talabalarida Integral sxemalarni loyihalashning mazmuni va mohiyati bo‘yicha tayanch tushunchalarni shakllantirishdan iborat. Mikrosxemalarni loyihalash yechimlarini qo‘llash usullarini ishlab chiqish va ularni soddalashtirish yo‘llarini izlab topishni o‘z ichiga oladi. Sodda matematik yechimga ega bo‘lgan ikkilik sanoq tizimiga asoslangan apparatlar va avtomatlar nazariyasi bazasiga tayanib yuqori intellektual texnik vositalarning sintezi kabi murakkab masalalarni yechish, zamonaviy integral sxemalar va yakunlangan modullarning muhim ahamiyati va turli masalalani sodda yo‘l bilan yechishni talabalarga o‘rgatishdir. Zamonaviy yarim o‘tkazgichli Integral mikrosxemalararning asosiy tendentsiyasi - bu integratsiya darajasining oshishi. Bu, qoida tariqasida, Integral mikrosxema topologiyasini loyihalash jarayonining murakkablashishi va natijada dizayn bosqichida ko‘plab xatolar paydo bo‘lishida namoyon bo‘ladi. Shuning uchun aytishimiz mumkinki, Integral mikrosxema topologiyasini ishlab chiqish har qanday Integral mikrosxemani loyihalashda eng muhim va mas'uliyatli operatsiya hisoblanadi. Ushbu kurs loyihasining maqsadi - keng polosali kuchaytirgich Integral mikrosxema elementlarining geometrik o‘lchamlarini hisoblash, ushbu sxemaning topologiyasini loyihalash. Dastlabki ma'lumotlar: elektr sxematik diagrammasi va elektr parametrlari.
Kurs loyihasida ilmiy yangilik: Amaliy ahamiyati shundaki, dizayn topshirig'ida ko‘rsatilgan parametrlarga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli Integral mikrosxema topologiyasi ishlab chiqilgan.
Yarimo‘tkazgich mikrosxemaning topologiyasi analog mikrosxemalar dizaynida ishlatilishi mumkin bo‘lgan to‘liq Integral mikrosxema elementi.
MSTlarda yarimo‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanlik xususiyatini elektr maydoni orqali boshqariladi. Monolit MSTlarning ixtiro qilinishi esa, avvallari alohida-alohida tayyorlangan va sxemalarda ham alohida joylashtirilgan elementlar - tranzistorlar, qarshilik, kondensator va ho kazolarni, yarimo‘tkazgich materialdan tayyorlangan bitta kristall mikrochipga favqulodda juda kichik ixcham o‘lchamlarda joylashtirish imkonini berdi.